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제안 방법
- 1960년에는 또 하나의 역사적인 일이 있었다. 벨 연구소에서 존 아탈라와 한국인 강대원이 최초로 성공적으로 동작하는 MOSFET을 제작하여 발표하였다. 1963년에는 페어차일드의 C.
대상 데이터
- FET 개념이 발표된 후 20여 년이 지난 1947년 12월 16일에 AT&T 벨 연구소의 존 바딘과 월터 브래튼이 저마늄 기판에 점 접합을 이용하여 전력증폭이 가능한 트랜지스터 효과를 발견하였다. 최초로 제작된 트랜지스터는 역삼각형의 플라스틱이 저마늄 기판에 살짝 접촉하고 있는데, 플라스틱의 좌우에 금이 저마늄과 금속반도체 점 접합을 형성한다.
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