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섹터 매핑 기법을 적용한 효율적인 FTL 알고리듬 설계
Design of an Efficient FTL Algorithm for Flash Memory Accesses Using Sector-level Mapping 원문보기

한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 네트워크 및 서비스, v.34 no.12B, 2009년, pp.1418 - 1425  

윤태현 (서강대학교 전자공학과 CAD & ES 연구실) ,  김광수 (서강미래기술원) ,  황선영 (서강대학교 전자공학과 CAD & ES 연구실)

초록
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본 논문은 플래쉬 메모리 접근시 erase 횟수를 줄이기 위하여 섹터 매핑 기법을 적용한 FTL (Flash Translation Layer) 알고리듬을 제안한다. 블록 매핑 기법을 적용한 기존의 알고리듬에 비하여 제안한 알고리듬은 섹터 단위의 매핑 테이블을 활용하여 데이터를 억세스하는 섹터 매핑 기법을 사용하여 erase 횟수를 줄임으로써 전체적인 메모리 억세스 시간을 줄이고 플래쉬 메모리의 수명을 연장시킬 수 있다. 제안한 알고리듬에서는 write를 위한 빈 공간이 없을 때 erase 횟수가 가장 적은 블록을 victim 블록으로 선택함으로써 wear-leveling을 구현하였다. 제안한 알고리듬을 검증하기 위하여 MP3 재생기, 동영상 재생기, 웹 브라우저, 문서 편집기의 어플리케이션에 대해 실험을 수행하였다. 제안한 알고리듬을 사용하였을 때 기존의 BAST, FAST 알고리듬과 비교하여 72.4%, 61.9%의 erase 횟수가 감소하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper proposes a novel FTL (Flash Translation Layer) algorithm based on sector-level mapping to reduce the number of total erase operations in flash memory accesses. The proposed algorithm can reduce the number of erase operations by utilizing the sector-level mapping table when writing data at...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 섹터 매핑 기법과 블록 정보 테이블을 적용한 FTL 알고리듬을 제안하였다. 기존의 블록 매핑 기법을 기반으로 하는 FTL은 매핑 테이블의 크기를 줄여 적은 양의 RAM을 필요로 하지만, erase 횟수 및 플래쉬 메모리 억세스를 위한 소요 시간은 섹터 매핑 기법을 사용하였을 때보다 증가하게 된다[5].
  • 본 논문에서는 섹터 매핑 기법을 적용하여 기존의 블록 매핑 기법에 기반한 FTL보다 플래쉬 메모리 공간의 활용도를 높이고 erase 횟수를 줄여 전체 소요 시간을 줄이는 방법을 제안한다.
  • 본 절에서는 제안한 FTL 알고리듬에 관해 기술한다. 3.

가설 설정

  • 32GB의 NAND 플래쉬 메모리 기반의 반도체 디스크를 기준으로 매핑 테이블의 크기를 BAST[2], FAST[6]와 비교하였다. BAST와 FAST의 로그 버퍼의 크기는 1 GB로 가정하였다. 제안한 FTL은 동적 할당 기법을 사용하여 매핑 테이블의 크기가 일정한 것은 아니지만 모든 LSN의 데이터가 write 되었다고 가정하면 매핑 테이블의 크기는 8*1024*32*64*2B = 33 MB 가 된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
플래쉬 메모리의 장점은? 플래쉬 메모리는 저전력 소모, 비휘발성, 적은 면적으로 인한 높은 휴대성 등의 장점 때문에 MP3 player, PMP, PDA와 같은 휴대용 임베디드 시스템에서 저장매체로 널리 사용되고 있다. 최근에는 플래쉬 메모리 용량의 증가와 가격의 하락으로 일반 컴퓨터 시스템의 저장매체로도 각광받고 있다.
NAND 플래쉬 메모리의 구성은? NAND 플래쉬 메모리는 여러 개의 블록으로 구성되어 있다. 각각의 블록은 32개 이상의 섹터들로 구성되어 있다.
플래쉬 메모리는 몇 가지 제약 사항이 있는데, 이에 대하여 설명하시오. 섹터는 read/write의 기본 단위이고, 블록은 erase의 기본 단위이다. 플래쉬 메모리의 첫 번째 문제는read, write, erase 동작에 소요되는 시간이 다르다. 예를 들면, 삼성 K9WBG08U1MNAND 플래쉬 메모리[3]의 경우 read 동작에 걸리는 시간은 25us, write 동작에 걸리는 시간은 200us, erase 동작에 걸리는 시간은 2ms이다. 이처럼 erase 동작에 걸리는 시간이 가 장 길어서 erase 동작의 횟수를 줄이는 것이 전체 소요 시간을 줄이기 위해서 가장 중요하다. 두번째 문제는 erasebefore-write 문제이다. 플래쉬 메모리는 특정 섹터의 데이터가 수정되었을 때 일반적인 하드 디스크처럼 덮어쓸 수가 없다. 앞서 언급하였듯이 read와 write의 단위는 섹터이고 erase의 단위는 블록이므로 하나의 섹터에 데이터를 쓰기 위하여 블록을 erase하는 과정을 거쳐야만 한다. 플래쉬 메모리는 블록당 10만~100만 번의 erase 횟수 제한이 있으며 그 이후에는 결함이 생길 수 있다. 이와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 FTL (Flash Translation Layer)의 역할이 중요하다.
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참고문헌 (8)

  1. F. Douglis, R. Caceres, F. Kaashoek, K. Li, B. Marsh, and JA. A. Tauber, “Storage Alternatives for Mobile Computers,” In Proceedings of the 1st Symposium on Operating Systems Design and Implementation (OSDI), 1994 

  2. J. Kim, J. Kim, S. Noh, S. Min, and Y. Cho, 'A space-efficient flash translation layer for compact flash systems,' IEEE Transactions on Consumer Electronics, Vol.48, No.2, pp.366-375, May 2002. 

  3. Samsung Electronics, '2G x 8Bit / 4G x 8 Bit / 8G x 8 Bit NAND Flash memory (K9WBG08U1M) Data Sheets,' 2007 

  4. E. Gal and S. Toledo, 'Algorithms and data structures for flash memories,' ACM Computing Surveys (CSUR), Vol.37, No.2, pp.138-163, June 2005 

  5. T. Chung, D. Park, S. Park, D. Lee, S. Lee, and H. Song, 'System software for flash memory: A survey,' IFIP Int. Conf. Embedded and Ubiquitous Computing, Lecture Note in Computer Science (LNCS), Vol.4096, pp.394-404, Springer-Verlag, 2006 

  6. S. Lee, D. Park, T. Chung, W. Choi, D. Lee, S. Park, and H. Song, 'A log buffer based flash translation layer using fully associative sector translation,' ACM Transactions on Embedded Computing Systems, Vol.6, No.3, July 2007 

  7. S. Kwon and T. Chung, 'An efficient and advanced space-management technique for flash memory using reallocation blocks,' IEEE Transactions on Consumer Electronics, Vol.54, No.2, pp.631-638, May 2008 

  8. S. Lee, D. Shin, Y. Kim, and J. Kim, 'LAST: Locality-aware sector translation for NAND flash memory-based storage systems,' ACM SIGOPS Operating Systems Review, Vol.42, No.6, pp.36-42, Feb. 2008 

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