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직류 전계에 의한 Acceptor 첨가 BaTiO3의 유전특성 열화 현상
Capacitance Aging Behavior of Acceptor-Doped BaTiO3 under DC Electrical Field 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.46 no.2 = no.321, 2009년, pp.219 - 223  

한동우 (성균관대학교 신소재공학부) ,  한영호 (성균관대학교 신소재공학부)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Effects of MgO or $R_2O_3$(R:Dy, Ho, Yb) on the capacitance aging behavior of multilayer ceramic capacitors (MLCCs) based on $BaTiO_3$ dielectrics under DC electrical fields has been studied. At a DC field of 1 $V{/\mu}m$, the capacitance of MLCC specimens dropped im...

주제어

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문제 정의

  • 따라서 원자가 변화로 인해 시간에 따른 유전율 변화(aging)를 가속시키는 Mn과 달리, 원자 가가 고정된 acceptor 원소와 산소빈자리가 형성한 결함 쌍극자는 직류전계 하에서의 분역 벽 이동을 억제하는 효과를 나타낼 수 있을 것이라 예상할 수 있다.15) 본 연구에서는 Mn이 첨가된 BaTiO3의 유전용량 열화현상과, Mg, 희토류 원소 등 원자가가 고정된 acceptor 첨가제가 이에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
결함 쌍극자의 농도 증가는 어떤 효과가 있는가? BaTiO3에서 외부 전계에 따른 결함 쌍극자의 분극 방향 전환은 산소빈자리의 jump를 필요로 하며 이는 B 자리에서 Ti4+에 의한 자발분극의 방향 전환에 비해 큰 에너지를 요구하므로, 결함 쌍극자의 농도 증가는 Ti4+가 원래의 방향으로 돌아오도록 하는 복원력으로 작용하여, 분역 벽 이동을 방해하고 이력을 감소시키는 효과가 있다고 보고된 바 있다.13-14) Nomura 등은 Y2O3의 첨가가 외부 직류전계 하에서의 유전특성 변화를 억제하는데 효과적이라고 보고하였다.
직류전계 하에서의 유전율의 경시변화 현상을 설명하기 위해 제안된 기구는 무엇이 있는가? 직류전계 하에서의 유전율의 경시변화(2nd stage) 현상을 설명하기 위해 2가지 기구가 제안되어 있다.5,7,8) 첫번째로, trapped charge carrier에 의해 결정립 내부에 형성되는 전기장에 의한 유전율 저하를 들 수 있다.5,7) 양의 유효 전하를 가진 산소빈자리가 외부 전계에 의해 이동하여 입계나 기공 부근에 모이게 되면 결정립 내부에 외부 전계와 반대방향의 내부 전계가 형성된다. 이러한 내부 전기장에 의해 절연저항의 열화 현상이나 유전용량 감소 현상이 발생할 수 있다.7) 또 하나의 이론은 90° 분역의방향 전환에 의한 유전용량 열화 현상이다.7) Acceptor 원소와 산소빈자리가 형성하는 결함 쌍극자는 직류전계에 의한 분역 벽 이동을 제한(clamping)하게 된다. 전이금속인 Mn의 경우, 외부 전계에 의해 가지고 있던 전자를 방출하고 전자는 hopping을 통해 다른 Mn site로 이동할 수있으며, 이 과정에서 Mn2+, Mn3+가 Mn4+로 변할 경우 결함 쌍극자는 소멸되고 더 이상 분역 벽의 이동을 제한할수 없게 된다. 따라서 분역 벽은 서서히 이동하게 되며 최종적으로 c축이 외부 전계에 평행하게 배열된 단일 분역과 같은 형태가 된다. Tetragonal BaTiO3의 c축 방향 유전율은 a축 방향 유전율에 비해 매우 작으므로, 전체 유전율은 감소하게 된다. 90° 분역의 방향 전환과 이에 따른 분역 벽 이동을 주된 기구로 볼 경우 Mn이 2nd stage 에서의 유전율 변화를 주도하는 요인으로 제시된다.
BaTiO3에서 외부 전계에 따른 결함 쌍극자의 분극 방향 전환은 무엇을 필요로 하는가? BaTiO3에서 외부 전계에 따른 결함 쌍극자의 분극 방향 전환은 산소빈자리의 jump를 필요로 하며 이는 B 자리에서 Ti4+에 의한 자발분극의 방향 전환에 비해 큰 에너지를 요구하므로, 결함 쌍극자의 농도 증가는 Ti4+가 원래의 방향으로 돌아오도록 하는 복원력으로 작용하여, 분역 벽 이동을 방해하고 이력을 감소시키는 효과가 있다고 보고된 바 있다.13-14) Nomura 등은 Y2O3의 첨가가 외부 직류전계 하에서의 유전특성 변화를 억제하는데 효과적이라고 보고하였다.
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참고문헌 (16)

  1. Z. L. Gui, Y. L. Wang, and L. T. Li, “Study on the Interdiffusion in Base-Metal-Electrode MLCCs”, Ceram. Int. 30 1275-8 (2004). 

  2. J. S. Park, and Y. H. Han, “Powder Characteristics and Sintering Behavior of $SiO_2$ Coated $BaTiO_3$ ”, Mater. Sci. Forum 534-536 1065-8 (2007). 

  3. G. Y. Yang, G. D. Lian, E. C. Dickey, C. A. Randall, D. E. Barber, P. Pinceloupe, M. A. Henderson, R. A. Hill, J. J. Beeson, and D. J. Skamser, “Oxygen Nonstoichiometry and Dielectric Evolution of $BaTIO_3$ Part II - Insulation Resistance Degradation under Applied DC Bias”, J. Appl. Phys.M. 96 7500-8 (2004). 

  4. R. Waser, T.Baiatu and K.H.Hardtl, “DC Electrical Degradation of Perovskite-Type Titanates: 1. Ceramics”, J. Am. Ceram. Soc., 73[6] 1645-53 (1990). 

  5. J. L. Cao, X. H. Wang, N. X. Zhang and L. T. Li, “Direct Current-Voltage Failure of Lead-Based Relaxor Ferroelectrics with Silver Doping”, J. Am. Ceram. Soc., 86[11] 1856- 60 (2003). 

  6. H. Wen, X. Wang, R. Chen and L. T. Li, “Modeling of Dielectric Behaviors of Multilayer Ceramic Capacitors Under a Direct Current Bias Field”, J. Am. Ceram. Soc., 89[2] 550-6 (2006). 

  7. T. Tsurumi, M. Shono, H. Kakemoto, S. Wada, K. Saito and H. Chazono, “Mechanism of Capacitance Aging under DC Electric Fields in Multilayer Ceramic Capacitors with X7R Characteristics”, Jpn. J. Appl. Phys., 44[9B] 6989-94 (2005). 

  8. T. Nomura, N. Kawano, J. Yamamatsu, T. Arashi, Y. Nakano and A. Sato, “Aging Behavior of Ni-Electrode Multilayer Ceramic Capacitors with X7R Characteristics”, Jpn. J. Appl. Phys., 34[9B] 5389-95 (1995). 

  9. J. Jeong, E. J. Lee and Y. H. Han, “Defect Chemistry and Electrical Degradation of $BaTiO_3$ Co-Doped with Ho and Mn”, J. Eur. Ceram. Soc., 27 1159-63 (2007). 

  10. J. Jeong and Y. H. Han, “Electrical Properties of Acceptor Doped BaTiO3” J. Electroceram., 13 549-53 (2004). 

  11. J. Jeong and Y. H. Han, “Electrical properties of MgO-doped $BaTiO_3$ ”, Phys. Chem. Chem. Phys 5 2264-7 (2003). 

  12. J. Jeong and Y. H. Han, “Effects of MgO-Doping on Electrical Properties and Microstructure of $BaTiO_3$ ”, Jpn. J. Appl. Phys., 43[8A] 5373-77 (2004). 

  13. L. X. Zhang, and X. Ren, “Electro-Shape-Memory Effect in Mn-Doped $BaTiO_3$ Single Crystals and In Situ Observation of the Reversible Domain Switching”, Mater. Sci. Eng. A, 438-440 354-9 (2006). 

  14. W. Liu, W. Chen, L. Yang, Y. Wang, L. Zhang, C. Zhou, S. Li, and X. Ren, “Electro-Shape-Memory Effect in Hybrid Doped BaTiO3 Ceramics”, Mater. Sci. Eng., 438-440 350-3 (2006). 

  15. D. W. Hahn, J. O. Hong, and Y. H. Han, “Effects of MgO Doping on DC Bias Aging Behavior of Mn-Doped $BaTiO_3$ ”, Jpn. J. Appl. Phys., 47[7] 5526-9 (2008). 

  16. R. D. Shannon, “Revised Effective Ionic Radii and Systematic Studies of Interatomic Distances in Halides and Chalcogenides”, Acta Cryst. A, 32 751-67 (1976). 

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