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Electronic Structure and Magnetic Moments of Copper-atom in/on GaN Semiconductor 원문보기

Journal of magnetics, v.15 no.2, 2010년, pp.51 - 55  

Kang, Byung-Sub (BK 21 Physics program and Department of Physics, Chungbuk National University) ,  Lee, Haeng-Ki (Department of Radiotechnology, Daegu Polytechnic College)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The electronic and magnetic properties of Cu-doped GaN with a Cu concentration of 6.25% and 12.5% are examined theoretically using the full-potential linear muffin-tin orbital method. The magnetic moment of Cu atoms decreases with increasing Cu concentration. The spin-polarization of Cu atoms is red...

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제안 방법

  • However, for Cu-doped ZnO thin films, the local magnetic moment decreased with increasing Cu concentration [22]. In this study, the possibility of Cu as a NM dopant to fabricate GaN-based DMS is evaluated by firstprinciples calculations based on spin density functional theory with the main focus on the spin-polarization of Cu and neighboring N atoms with increasing Cu concentration. In contrast to Cu-doped ZnO [21], the spin-polarization of the Cu dopant in GaN decreases with increasing Cu concentration.

이론/모형

  • This study examined the electronic and magnetic properties derived from the band structure calculations for a thin film and Cu-doped wurtzite GaN using the FPLMTO method. The NM dopant at low concentrations becomes spin-polarized when incorporated substitutionally into GaN.
  • 1728 Å, respectively. This study is performed using the first-principles full-potential linear muffin-tin orbital (FPLMTO) method [24, 25] within both the local density approximation (LDA) and generalized gradient approximation (GGA) with the exchange-correlation functional proposed by the Janak-Moruzzi-Williams scheme [26]. The electron wave function is expanded in plane waves with a cut-off energy of 252.
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참고문헌 (27)

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