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논문 상세정보

Abstract

A new level shifter using low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) for low-power applications is proposed. The proposed level shifter uses a capacitive-coupling effect and can reduce the power consumption owing to its no-short-circuit current. Its power saving over the conventional level shifter is 72% for a 3.3 V input and a 10 V output.

참고문헌 (6)

  1. Shin-Hung Yeh, Wein-Town Sun, Jian-Shen Yu, Chien-Chih Chen, Jargon Lee, and Chien-Sheng Yang, in Tech. Dig. of SID (2005), p. 352. 
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  5. Hiroshi Haga, Yoshihiro Nonaka, Youichiro Kamon, Youich Kitagishi, Masayuki Jumonji, Kenichi Takatori and Hideki Asada, in Tech. Dig. of SID (2007), p. 1486. 
  6. Jan Doutreloigne, Herbert De Smet, Jean Van den Steen and Geert Van Doorselaer, in ICM (1999), p. 213. 

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