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논문 상세정보

탄소나노튜브 트랜지스터 특성 연구

Characteristics of CNT Field Effect Transistor

초록

본 연구에서는 기존의 반도체 공정을 이용하여 bottom gate, top gate구조의 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하였다. 게이트 특성에 따른 특성을 연구하기 위하여 열화학 기상 증착법(CVD)으로 탄소나노튜브를 디바이스에 직접 성장시키고, 탄소나노튜브의 성장 특성 및 I-V동작 특성을 분석하였다. 제작된 탄소나노튜브 FET는 p-type, 즉 hole이 다수 캐리어로 존재하는 트랜지스터이며 구동전압에 따라 conductance 변화하는 특성을 보였다.

Abstract

Bottom gate and top gate field-effect transistor based carbon nanotube(CNT) were fabricated by CMOS process. Carbon nanotube directly grown by thermal chemical vapor deposition(CVD) using Ethylene ($C_2H_4$) gas at $700^{\circ}C$. The growth properties of CNTs on the device were analyzed by SEM and AFM. The electrical transport characteristics of CNT FET were investigated by I-V measurement. Transport through the nanotubes is dominated by holes at room temperature. By varying the gate voltage, bottom gate and top gate field-effect transistor successfully modulated the conductance of FET device.

저자의 다른 논문

참고문헌 (8)

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  4. R. Martel, T. Schmidit, H. R. Shea, T. Hertel, and Ph. Avouris, "Single and multi wall carbon nanotube field-effect transistor", APL, Vol. 73, p. 2447, 1998. 
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  7. S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appezeller, and Ph. Avouris, "Carbon nanotubes as Schottky Barrier Transistors", PRL, Vol. 89, No. 10, p. 106801-1, 2002. 
  8. A. Javey, R. Tu, D. B. Farmer, J. Guo, R. G. Gordon, and H. Dai, "High performance n-Type carbon nanotube field- effect transistors with chemically doped contacts", Nano Lett., Vol. 5, p. 345, 2005. 

이 논문을 인용한 문헌 (4)

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  2. Kim, Yong-You ; Jang, Hee-Jin ; Choi, Byung-Sang 2013. "Synthesis of graphene and its application to thermal and surface modification" 한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, 8(4): 549~554 
  3. Choi, Byung-Sang 2014. "Synthesis of large area·single layer/crystalline graphene" 한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, 9(2): 167~171 
  4. Hwang, Suk-Seung ; Choi, Byung-Sang 2014. "Movement of graphene grain boundary and its interaction with defects during graphene growth" 한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, 9(3): 273~278 

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