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NTIS 바로가기한국전자통신학회 논문지 = The Journal of the Korea Institute of Electronic Communication Sciences, v.5 no.1, 2010년, pp.88 - 92
박용욱 (남서울대학교 전자공학과) , 나상엽 (남서울대학교 컴퓨터학과)
Bottom gate and top gate field-effect transistor based carbon nanotube(CNT) were fabricated by CMOS process. Carbon nanotube directly grown by thermal chemical vapor deposition(CVD) using Ethylene (
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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탄소나노튜브란? | 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT)는 1991년 일본의 Iijima박사가 처음 발견한 이후, 재료적 우수성으로 나노기술 분야에서 가장 많이 연구되고 있는 물질이다. 또한 탄소나노튜브 반도체는 상온에서 실리콘보다 70배 이상 우수하고 뛰어난 전기적, 기계적, 물리적 성질로 인해 합성과 응용 연구가 활발하게 진행되고 있다[1-3]. | |
본 연구에서 제작한 열화학 기상 증착법(CVD)으로 탄소나노튜브를 디바이스에 직접 성장시키고, 실리콘 기판을 bottom gate로 사용하는 FET와 top gate를 갖는 탄소나노튜브 FET의 동작 특성을 연구 분석한 결과는 어떠한가? | bottom gate CNT-FET의 경우 드레인 전압이 0.5 V와 1V인 경우 Von =-2V 였고, 드레인 전압이 2 V인 경우 Von =-1.3 V 로 감소하는 결과를 보여주었다. top gate CNT-FET도 역시 전형적인 실리콘 소자의 p-channel MOSFET 동작 특성을 보였으며, 문턱 전압(Vt)은 -0.4V 였고, conductance(Ion/Ioff)는 약 105의 값을 가졌으며 inverse subthreshold slope (Vss)특성은 120 mv/dec로 우수한 동작 특성을 보여주었으며 구동특성은 bottom gate를 사용하는 것보다 top gate를 사용하는 것이 우수한 특성을 보이는 것을 확인 할 수 있었다. | |
탄소나노튜브 반도체의 특징은? | 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT)는 1991년 일본의 Iijima박사가 처음 발견한 이후, 재료적 우수성으로 나노기술 분야에서 가장 많이 연구되고 있는 물질이다. 또한 탄소나노튜브 반도체는 상온에서 실리콘보다 70배 이상 우수하고 뛰어난 전기적, 기계적, 물리적 성질로 인해 합성과 응용 연구가 활발하게 진행되고 있다[1-3]. |
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