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Electrical Properties of Eco-Friendly RuO2-Based Thick-Film Resistors Containing CaO-ZnO-B2O3-Al2O3-SiO2 계 유리가 적용된 질화알루미늄 기판용 RuO2계 친환경 후막저항의 전기적 특성 연구
Electrical Properties of Eco-Friendly RuO2-Based Thick-Film Resistors Containing CaO-ZnO-B2O3-Al2O3-SiO2 System Glass for AlN Substrate 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.47 no.5 = no.330, 2010년, pp.467 - 473  

김민식 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) ,  김형준 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) ,  김형태 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) ,  김동진 (케이엠씨테크놀러지) ,  김영도 (한양대학교 신소재공학부) ,  류성수 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The objective of this study is to prepare lead-free thick film resistor (TFR) paste compatible with AlN substrate for hybrid microelectronics. For this purpose, CaO-ZnO-$B_2O_3-Al_2O_3-SiO_2$ glass system was chosen as a sintering aid of $RuO_2$. The effects of the weight ratio...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서, 본 연구에서는 AlN 기판에 적합한 후막 저항 페이스트를 개발함에 있어서 CaO-ZnO-B2O3-Al2O3-SiO2계 유리를 선택하고, CaO와 ZnO의 함량비를 달리하여 유리 분말을 제조한 후, 유리의 조성, RuO2와 유리의 혼합비 및 소결온도 등이 후막저항의 전기적 특성과 미세구조에 미치는 영향에 대해 연구하고자 하였다.
  • 본 연구에서는 RuO2와 무연 유리를 사용하여 고열전도성 AlN 기판에 적합한 RuO2계 후막저항용 페이스트를 개발하고자 하였다. 이를 위해 CaO-ZnO-B2O3-Al2O3-SiO2 계 유리를 선택하고, CaO와 ZnO의 함량비, 유리함량, 소결 온도 등이 후막저항의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였으며, 다음과 같은 결론을 얻었다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
RuO2계 후막저항이 칩저항과 혼성 미세회로등에 광범위하게 응용되는 이유는? RuO2계 후막저항(thick film resistor)은 RuO2과 유리성분의 비를 조절함으로써 넓은 범위의 저항값이 구현가능하고, 우수한 온도저항계수(temperature coefficient of resistance, TCR)을 가지고 있기 때문에 칩저항과 혼성 미세회로(hybrid microcircuits) 등에 광범위하게 응용되고 있다.1,2)
저항페이스트에서 납이 포함된 유리가 AlN 기판과 낮은 접착력을 가지는 이유는? 그러나, 저항페이스트에서 납이 포함된 유리는 최근 환경 규제로 인하여 사용을 금지하고 있는 추세일 뿐만 아니라, AlN 기판과는 낮은 접착력과 블리스터(blister) 발생 등으로 인해 상호 접합성이 떨어진다고 알려져 있다.7,8)이러한 낮은 접착력의 원인 중의 하나는 유리내의 PbO가 소결시 AlN과 반응하여 Pb로 환원이 되면서 N2 가스를 발생하기 때문이다. 따라서, AlN 기판을 위한 성공적인 후막저항을 제조하기 위해서는 납이 포함되지 않으면서 AlN과 상호 접합성이 좋은 친환경(eco-friendly) 유리 조성을 선정하는 것이 매우 중요하다.
후막저항 재료의 구성은? 일반적으로 후막저항 재료의 구성은 저항값이 낮고 전기 전도를 하는 RuO2나 루테네이트(ruthenate)와 같은 도전상과 저항값이 높은 유리성분의 산화물을 유기 바인더를 용해시킨 용매에 분산시켜 페이스트 형태로 되어있다. 그 중, 유리상은 기판과의 접합을 높이는 역할을 하기 때문에 적절한 유리 조성을 선택하는 것이 매우 중요하다.
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참고문헌 (11)

  1. C. S. Mccandish and A. L. Dow, "Outlook for Thick Film Hybrids 1985-90," Am. Ceram. Soc. Bull., 63 547 (1985). 

  2. T. Inokuma, Y. Taketa, and M. Haradome, "The Microstructure of $RuO_2$ Thick Film Resistors and the Influence of glass particle size on Their Electrical Properties," IEEE Trans. Component, Hybrid. Manuf Tech., CHMT-7 [2] 166-75 (1984). 

  3. F. Miyashiro, N. Iwase, A. Tsuge, F. Ueno, M. Nakahashi, and T. Takahashi, "High Thermal Conductivity Aluminum Nitride Ceramic Substrates and Packages," IEEE Trans. Components, Hybrids Manufact. Technol., 13 [2] 313-19 (1990). 

  4. G. Reppe, C. Kretzschmar, A. Scheffel, H. Thust, T. Kirchner, and M. Grobe, "Realization of Attenuators and Termination in Thick Film Technology on AlN-substrates," 11th European Microelectronics Conference, 69-76 (1997). 

  5. O. Abe, Y. Taketa, and M. Haradome, "The Effect of Various Factors on the Resistance and TCR of $RuO_2$ Thick Film Resistors-relation Between the Electrical Properties and Particle Size of Constituents, the Physical Properties of Glass and Firing Temperature," Active and Passive Elec., 13 67-83 (1988). 

  6. M. Hrovat, Z. Samardzija, and J. Holc, "The Development of Microstructural and Electrical Characteristics in Some Thickfilm Resistors During Firing," J. Mater. Sci., 37 2331-39 (2002). 

  7. C. Kretzschmar, P. Otschik, K. Jaenicke-Rossler, and D. SchlAfer, "The Reaction Between Ruthenium Dioxide and Aluminium Nitride in Resistor Pastes," J. Mater. Sci., 28 5713-16 (1993). 

  8. L. S. Chen, S. L. Fu, and J. H. Wu, "Electrical Properties of $Al_2O_3$ and $MnO_2$ -Doped Thick Film Resistors on AlN Substrates," Jpn. J. Appl. Phys., 41 2969-73 (2002). 

  9. T. Kubota, J. Ishigame, S. Chiba, and S, Sekihara, In Proceedings of the 5th International Microelectronics Conference, Edited by ISHM Japan Chapter, pp. 137 Tokyo, 1988. 

  10. R. W. Vest; Ceramic Materials for Electronics: Processing, Properties and Application, ed. R. C. Buchanan, Marcel Dekker 2nd ed., p. 473, New York, 1991. 

  11. T. Yamaguchi and K. Iizuka, "Microstructure Development in $RuO_2$ -glass Thick Film Resistors and Its Effect on the Electrical Resistivity," J. Am. Ceram. Sci., 73 [2] 166-75 (1984). 

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