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NTIS 바로가기한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.47 no.5 = no.330, 2010년, pp.467 - 473
김민식 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) , 김형준 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) , 김형태 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터) , 김동진 (케이엠씨테크놀러지) , 김영도 (한양대학교 신소재공학부) , 류성수 (한국세라믹기술원 엔지니어링세라믹센터)
The objective of this study is to prepare lead-free thick film resistor (TFR) paste compatible with AlN substrate for hybrid microelectronics. For this purpose, CaO-ZnO-
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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RuO2계 후막저항이 칩저항과 혼성 미세회로등에 광범위하게 응용되는 이유는? | RuO2계 후막저항(thick film resistor)은 RuO2과 유리성분의 비를 조절함으로써 넓은 범위의 저항값이 구현가능하고, 우수한 온도저항계수(temperature coefficient of resistance, TCR)을 가지고 있기 때문에 칩저항과 혼성 미세회로(hybrid microcircuits) 등에 광범위하게 응용되고 있다.1,2) | |
저항페이스트에서 납이 포함된 유리가 AlN 기판과 낮은 접착력을 가지는 이유는? | 그러나, 저항페이스트에서 납이 포함된 유리는 최근 환경 규제로 인하여 사용을 금지하고 있는 추세일 뿐만 아니라, AlN 기판과는 낮은 접착력과 블리스터(blister) 발생 등으로 인해 상호 접합성이 떨어진다고 알려져 있다.7,8)이러한 낮은 접착력의 원인 중의 하나는 유리내의 PbO가 소결시 AlN과 반응하여 Pb로 환원이 되면서 N2 가스를 발생하기 때문이다. 따라서, AlN 기판을 위한 성공적인 후막저항을 제조하기 위해서는 납이 포함되지 않으면서 AlN과 상호 접합성이 좋은 친환경(eco-friendly) 유리 조성을 선정하는 것이 매우 중요하다. | |
후막저항 재료의 구성은? | 일반적으로 후막저항 재료의 구성은 저항값이 낮고 전기 전도를 하는 RuO2나 루테네이트(ruthenate)와 같은 도전상과 저항값이 높은 유리성분의 산화물을 유기 바인더를 용해시킨 용매에 분산시켜 페이스트 형태로 되어있다. 그 중, 유리상은 기판과의 접합을 높이는 역할을 하기 때문에 적절한 유리 조성을 선택하는 것이 매우 중요하다. |
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