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電子工學會誌 = The journal of Korea Institute of Electronics Engineers, v.38 no.5 = no.324, 2011년, pp.56 - 60
정성욱 (연세대학교)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| Cross-coupled inverter 구조의 비휘발성 플립플롭의 단점은 무엇인가? | Cross-coupled inverter 구조의 비휘발성 플립플롭은 일반적으로 사용되는 cross-coupled inverter 구조를 갖는 CMOS 기반의 휘발성 플립플롭에서 inverter 상단 혹은 하단에 MTJ가 삽입되는 구조이다. 동작 모드에서는 CMOS 기반의 휘발성 플립플롭과 같은 원리로 동작 한다. 따라서 동작 모드에서는 cross-coupled inverter 내의 존재하는 MTJ는 사용되지 않지만 MTJ의 저항 값 때문에 CMOS 기반의 휘발성 플립플롭과 비교하여 C-Q delay가 느린 단점이 있다. 대기 모드로 진입하기 전에 플립플롭의 데이터를 MTJ에 저장하기 위한 추가적인 write 회로가 요구된다. 따라서 CMOS 기반의 휘발성 플립플롭과 비교하여 집적도가 떨어진다. MTJ를 이용한 비휘발성 플립플롭은 magnetic field로 write하는 MRAM에 사용되는 MTJ를 사용하여 구현한 경우와 전류로 write하는 STT-MRAM에서 사용되는 MTJ를 사용하여 구현한 경우로 구분된다. | |
| CAM cell은 어떤 저항 특성을 가지고 있는가? | CMOS 기반의 CAM 구조와 다른 새로운 구조로서 CAM cell은 2개의 MTJ와 2개의 트랜지스터로 구성 되어 있다. CAM cell은 match일 때 낮은 저항 값을 갖고 mismatch일 때 높은 저항 값을 갖고 있다. Match line에 다수의 CAM cell이 연결되고 match line에서 다수의 CAM cell로 흐르는 전류를 reference 값과 비교하여 match인지 mismatch인지 판단한다. | |
| spintronics logic 기술을 사용한 비휘발성 플립플롭의 특징은 무엇인가? | 또한, 대기모드에서 로직에서 소모되는 전력의 대부분은 플립플롭에서 데이터를 유지하기 위한 대기전력과 부가적인 회로에서 소모된다. 하지만 spintronics logic 기술을 사용한 비휘발성 플립플롭은 대기 전력 소모를 줄일 수 있고, 부가적인 회로 구성이 필요 없으므로 고집적화, 고성능의 로직회로를 구현할 수 있다.[4] 현재 미국, 일본 등을 중심으로 MTJ를 기반으로 하는 spintronics logic 연구가 활발하게 진행되고 있지만 국내에서는 아직 미흡한 단계에 있다. |
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