• 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보


$CoSi_2$ was formed through annealing of atomic layer deposition Co thin films. Co ALD was carried out using bis(N,N'-diisopropylacetamidinato) cobalt ($Co(iPr-AMD)_2$) as a precursor and $NH_3$ as a reactant; this reaction produced a highly conformal Co film with low resistivity ($50\;{\mu}{\Omega}cm$). To prevent oxygen contamination, $ex-situ$ sputtered Ti and $in-situ$ ALD Ru were used as capping layers, and the silicide formation prepared by rapid thermal annealing (RTA) was used for comparison. Ru ALD was carried out with (Dimethylcyclopendienyl)(Ethylcyclopentadienyl) Ruthenium ((DMPD)(EtCp)Ru) and $O_2$ as a precursor and reactant, respectively; the resulting material has good conformality of as much as 90% in structure of high aspect ratio. X-ray diffraction showed that $CoSi_2$ was in a poly-crystalline state and formed at over $800^{\circ}C$ of annealing temperature for both cases. To investigate the as-deposited and annealed sample with each capping layer, high resolution scanning transmission electron microscopy (STEM) was employed with electron energy loss spectroscopy (EELS). After annealing, in the case of the Ti capping layer, $CoSi_2$ about 40 nm thick was formed while the $SiO_x$ interlayer, which is the native oxide, became thinner due to oxygen scavenging property of Ti. Although Si diffusion toward the outside occurred in the Ru capping layer case, and the Ru layer was not as good as the sputtered Ti layer, in terms of the lack of scavenging oxygen, the Ru layer prepared by the ALD process, with high conformality, acted as a capping layer, resulting in the prevention of oxidation and the formation of $CoSi_2$.

참고문헌 (18)

  1. H. Iwai, T. Ohguro and S. Ohmi, Microelectron. Eng., 60, 157 (2002). 
  2. H. Y. Lin, S. L. Wu, S. J. Chang, Y. P. Wang, Y. M. Lin and C. W. Kuo, Semicond. Sci. Technol., 24, 015015 (2009) 
  3. H. S. Rhee, B. T. Ahn and D. K. Sohn, J. Appl. Phys., 86, 3452 (1999). 
  4. H. -B. -R. Lee and H. Kim, Electrochem. Solid State Lett., 9, G323 (2006). 
  5. J. Yoon, H. -B. -R. Lee, D. Kim, T. Cheon, S. -H. Kim and H. Kim, J. Electrochem. Soc., 158, H1179 (2011). 
  6. H. -B. -R. Lee, J. Y. Son and H. Kim, Appl. Phys. Lett., 90, 213509 (2007). 
  7. H. Kim, Thin Solid Films, 519, 6639 (2011). 
  8. H. -B. -R. Lee, W. -H. Kim, J. W. Lee, J. -M. Kim, K. Heo, I. C. Hwang, Y. Park, S. Hong and H. Kim, J. Electrochem. Soc., 157, D10 (2010). 
  9. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, R. A. Donaton and K. Maex, Microelectron. Eng., 50, 125 (2000). 
  10. W. -H. Kim, S.- J. Park, J. -Y. Son and H. Kim, Nanotechnology, 19, 045302 (2008). 
  11. S. -J. Park, W. -H. Kim, H. -B. -R. Lee, W. J. Maeng and H. Kim, Microelectron. Eng., 85, 39 (2008). 
  12. W. -H. Kim, S. -J. Park, D. Y. Kim and H. Kim, J. Kor. Phys. Soc., 55, 32 (2009). 
  13. R. K. K. Chong, M. Yeadon, W. K. Choi, E. A. Stach and C. B. Boothroyd, Appl. Phys. Lett., 82, 1833 (2003). 
  14. M. L. A. Dass, D. B. Fraser and C. -S. Wei, Appl. Phys. Lett., 58, 1308 (1991). 
  15. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett., 68, 3461 (1996). 
  16. T. Aoyama, K. Suzuki, H. Tashiro, Y. Toda, T. Yamazaki, Y. Arimoto and T. Ito, J. Electrochem. Soc., 140, 3624 (1993). 
  17. D. Mathiot, A. Straboni, E. Andre and P. Debenest, J. Appl. Phys., 73, 8215 (1993). 
  18. C. S. Petersson, J. E. E. Baglin, J. J. Dempsey, F. M. d'Heurle and S. J. La Placa, J. Appl. Phys., 53, 4866 (1982). 

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음


원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일