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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.23 no.12, 2013년, pp.732 - 736
손호기 (한국세라믹기술원) , 임태영 (한국세라믹기술원) , 이미재 (한국세라믹기술원) , 김진호 (한국세라믹기술원) , 김영희 (한국세라믹기술원) , 황종희 (한국세라믹기술원) , 오해곤 (루미지엔테크) , 최영준 (루미지엔테크) , 이혜용 (루미지엔테크) , 김형순 (인하대학교 신소재공학부)
AlN epilayers were grown on a c-plane sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). A series of AlN epilayers were grown at
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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AlN(질화 알루미늄) 단결정은 어디에 활용될 수 있는가? | 2 eV의 넓은 밴드갭 에 너지, 높은 열전도도(3.2 W cm−1 K−1 ) 그리고 GaN과 격자상수 차이가 작기 때문에 AlGaN 기반의 UV LED, piezoelectric 센서, 고출력, 고온 작동 전자소자에 적합 하다.1) 특히 210 nm 이상의 단파장영역에서의 높은 투영도 때문에 DUV-LED(deep ultraviolet light emitting diodes)와 레이저 다이오드(LD)에 적합한 기판 재료이다.2) AlGaN 기반의 고효율 DUV-LED를 구현하기 위해서는 낮은 threading dislocation 밀도를 갖는 AlN template 개발이 매우 중요하다. | |
AlN(질화 알루미늄) 단결정의 장점은? | AlN(질화 알루미늄) 단결정은 6.2 eV의 넓은 밴드갭 에 너지, 높은 열전도도(3.2 W cm−1 K−1 ) 그리고 GaN과 격자상수 차이가 작기 때문에 AlGaN 기반의 UV LED, piezoelectric 센서, 고출력, 고온 작동 전자소자에 적합 하다.1) 특히 210 nm 이상의 단파장영역에서의 높은 투영도 때문에 DUV-LED(deep ultraviolet light emitting diodes)와 레이저 다이오드(LD)에 적합한 기판 재료이다. | |
HVPE 공법의 장점은? | HVPE에 의한 성장은 여러 가지 장점을 가진다. 예를 들어 높은 성장률, 넓은 면적에서의 균일성, 낮은 불순물 함량 등이다.4) HVPE 공법으로 AlCl3와 NH3를 사용하여 사파이어 기판 위에 고품질의 AlN 에피층를 성장시키려면 고온이 필요하다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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