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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.17 no.1, 2013년, pp.71 - 76
임진홍 (Dept. of Semiconductor Science and Technology, Chonbuk National University) , 김정진 (Dept. of Semiconductor Science and Technology, Chonbuk National University) , 심규환 (Dept. of Semiconductor Science and Technology, Chonbuk National University) , 양전욱 (Dept. of Semiconductor Science and Technology, Chonbuk National University)
AlGaN/GaN HEMTs (High electron mobility transistors) with narrow channel were fabricated and the effect of channel scaling on the device were investigated. The devices were fabricated using e-beam lithography to have same channel length of
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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10 ㎛ 와 1.6 ㎛의 채널폭을 갖는 트랜지스터의 전류밀도는 550∼600 mA/mm로 비슷한 값을 나타냈지만 채널폭이 1 ㎛ 이하로 감소한 경우 400 mA/mm 이하로 드레인 전류 특성이 눈에 띄게 낮아졌는데 이것이 의미하는 바는? | 6 ㎛의 채널폭을 갖는 트랜지스터의 전류밀도는 550∼600 mA/mm로 비슷한 값을 나타냈지만 채널폭이 1 ㎛ 이하로 감소한 경우 400 mA/mm 이하로 드레인 전류 특성이 눈에 띄게 낮아졌다. 이는 채널 폭의 감소에 따라 sub-㎛ 크기로 줄어들면서 AlGaN에 의한 스트레인의 감소가 나타나고 이에 따라 캐리어 농도가 감소하는 것을 의미한다. 스트레인과 함께 전류 감소의 또 다른 요인으로는 소스저항의 증가를 들 수 있다. | |
GaN의 장점은? | GaN는 3.4 eV의 넓은 밴드 갭과 물리적, 화학적 안정성을 바탕으로 광소자와 전자소자에 널리 응용되고 있다. 특히 AlGaN/GaN의 이종접합은 1×1013/cm2 이상의 매우 높은 전자밀도와 2,000 cm2/V·s의 높은 이동도 특성을 갖는 이차원전자 (2-dimensional electron gas; 2-DEG) 층 형성이 가능하여 고전력, 고주파에 적용 가능한 high electron mobility transistor (HEMT)의 제작에 많이 이용된다. | |
AlGaN/GaN의 이종접합은 어떤 것의 제작에 많이 이용되는가? | 4 eV의 넓은 밴드 갭과 물리적, 화학적 안정성을 바탕으로 광소자와 전자소자에 널리 응용되고 있다. 특히 AlGaN/GaN의 이종접합은 1×1013/cm2 이상의 매우 높은 전자밀도와 2,000 cm2/V·s의 높은 이동도 특성을 갖는 이차원전자 (2-dimensional electron gas; 2-DEG) 층 형성이 가능하여 고전력, 고주파에 적용 가능한 high electron mobility transistor (HEMT)의 제작에 많이 이용된다.[1]-[5] 최근 AlGaN/GaN 구조의 HEMT는 수십 W급 이상의 전력운용이 가능한 모듈에 적용될 수 있도록 개발되고 있으며 normally-on 상태의 동작특성과 on 저항의 감소 등을 꾀하기 위한 많은 연구가 수행되고 있다. |
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