$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

바디 구동 차동 입력단과 Self-cascode 구조를 이용한 0.5 V 2단 연산증폭기 설계 및 제작
Design and Fabrication of 0.5 V Two Stage Operational Amplifier Using Body-driven Differential Input Stage and Self-cascode Structure 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.4, 2013년, pp.278 - 283  

김정민 (충북대학교 반도체공학과) ,  이대환 (충북대학교 반도체공학과) ,  백기주 (충북대학교 반도체공학과) ,  나기열 (충북도립대학 반도체전자전공) ,  김영석 (충북대학교 반도체공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents a design and fabrication of 0.5 V two stage operational amplifier. The proposed operational amplifier utilizes body-driven differential input stage and self-cascode current mirror structure. Cadence Virtuoso is used for layout and the layout data is verified by LVS through Mentor...

주제어

#Operational amplifier   #Body driven   #Self-cascode   #Low voltage   #Low power  

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 본 논문에서는 PMOS의 바디입력을 통한 2단 연산 증폭기 회로를 제안하였다. 기존의 게이트 구동과 다르게 바디 입력을 사용함으로써, 문턱전압제한 효과를 극복하여 공급전압이 0.
  • 본 논문에서는 단일 공급전압 0.5 V에서 동작하는 2단 연산 증폭기를 제안한다. 실험 방법에서 저전압에서 동작할 수 있는 회로 구조와, 제안된 저전압 회로의 최적화 과정을 설명하고, 결과 및 고찰에서 제안된 연산 증폭기의 시뮬레이션 결과와 레이아웃 및 측정 결과를 설명한다.

가설 설정

  • 2. Current mirror (a) cascode structure, (b) self cascode structure.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
한 개의 태양전지 셀은 동작전압이 몇 V인가? 이런 경우에는 낮은 동작전압 및 적은 전력 소모가 요구된다. 또한 최근 연구가 활발히 이루어지는 태양전지의 경우 한 개 태양 전지 셀의 경우 약 0.5 V 정도이기 때문에 시스템 동작 전압도 여기에 맞출 필요가 있다.
MOSFET이 문턱전압 제한 조건을 피하기 위해 효과적인 해결책 중 하나는 무엇인가? MOSFET을 저전압에서 동작시키기 위해서는 무엇보다도 문턱전압 제한 조건을 피하여야 한다. 이를 위하여 MOSFET의 바디를 이용하는 것이 효과적인 해결책 중의 하나이다 [2].
MOSFET을 저전압에서 동작시키기 위해서 어떻게 해야 하는가? MOSFET을 저전압에서 동작시키기 위해서는 무엇보다도 문턱전압 제한 조건을 피하여야 한다. 이를 위하여 MOSFET의 바디를 이용하는 것이 효과적인 해결책 중의 하나이다 [2].
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (6)

  1. S. Yan and E. Sanchez-Sinencio, IEICE Trans. Analog Integrated Circuits and Systems, E00-A, 1 (2000). 

  2. B. J. Blalock, P. E. Allen, and G. A. Tincon-Mora, IEEE Trans. Circuits Syst. II, 45, 769 (1998). 

  3. B. Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits (McGraw-Hill, U.S.A., 2003) p. 35. 

  4. Y. P. Tsividis, Operation and Modelling of the MOS Transistor (McGraw-Hill, U.S.A., 1987) p. 161. 

  5. I. Fujimori and T. Sugimoto, IEEE J. Solid-State Circuits, 33, 1863 (1998). 

    상세보기 crossref

  6. L. H. C Ferreira, T. C. Pimenta, and R .L. Moreno, IEEE Trans. Circuits Syst. II, 54, 843 (2007). 

    상세보기 crossref

저자의 다른 논문 :

관련 콘텐츠

오픈액세스(OA) 유형

GOLD

오픈액세스 학술지에 출판된 논문

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로