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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.6, 2013년, pp.441 - 445
정경환 (광운대학교 전자재료공학과) , 이정호 (광운대학교 전자재료공학과) , 강민석 (광운대학교 전자재료공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
ZnO nanowires on the a-, c- and m-plane oriented 4H-SiC substrates were grown by using a high temperature tube furnace. Ti/Au electrodes were deposited on ZnO nanowires and a-, c- and m-plane 4H-SiC substrates, respectively. The shape and density of the ZnO nanowires were investigated by field emiss...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4H-SiC의 특성은? | 특히, ZnO 나노선 구조는 박막보다 넓은 표면적대부피비 때문에 가스 센서에 많이 응용된다 [1,2]. 4H-SiC는 ZnO와 같은 Hexagonal 구조를 가짐으로 낮은 격자부정합 (lattice mismatch)을 가지며, 고에너지 밴드갭 반도체 물질로 높은 화학적 비반응성을 가진다. 또한 고온에서도 반도체 성질을 잃지 않기 때문에 고온 환경에서 동작해야 하는 가스센서에 응용이 가능하여 국내외적으로 많은 관심을 갖고 있다 [3-5]. | |
ZnO의 상온에서 특성은? | ZnO는 상온에서 높은 밴드갭 에너지 (∼3.4 eV)와 엑시톤 결합 에너지 (60 meV)를 가진다. 특히, ZnO 나노선 구조는 박막보다 넓은 표면적대부피비 때문에 가스 센서에 많이 응용된다 [1,2]. | |
4H-SiC 고온 환경에서 동작해야 하는 가스센서에 응용이 가능한 이유는? | 4H-SiC는 ZnO와 같은 Hexagonal 구조를 가짐으로 낮은 격자부정합 (lattice mismatch)을 가지며, 고에너지 밴드갭 반도체 물질로 높은 화학적 비반응성을 가진다. 또한 고온에서도 반도체 성질을 잃지 않기 때문에 고온 환경에서 동작해야 하는 가스센서에 응용이 가능하여 국내외적으로 많은 관심을 갖고 있다 [3-5]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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