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An X-Ku Band Distributed GaN LNA MMIC with High Gain 원문보기

Journal of semiconductor technology and science, v.14 no.6, 2014년, pp.818 - 823  

Kim, Dongmin (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)) ,  Lee, Dong-Ho (Department of Information and Communication Engineering, Hanbat National University) ,  Sim, Sanghoon (RF core Co. Ltd.) ,  Jeon, Laurence (RF core Co. Ltd.) ,  Hong, Songcheol (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST))

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A high-gain wideband low noise amplifier (LNA) using $0.25-{\mu}m$ Gallium-Nitride (GaN) MMIC technology is presented. The LNA shows 8 GHz to 15 GHz operation by a distributed amplifier architecture and high gain with an additional common source amplifier as a mid-stage. The measurement r...

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  • Simulated and measured noise figures are shown in Fig. 5. The measured noise figure is below 3.6 dB at 8 to 15 GHz, and below 4.3 dB at 7 to 16 GHz. The minimum noise figure is 2.
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참고문헌 (14)

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