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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.13 no.3, 2014년, pp.39 - 43
최명선 (서울대학교 공과대학 에너지시스템공학부) , 장윤창 (서울대학교 공과대학 에너지시스템공학부) , 이석환 (서울대학교 공과대학 에너지시스템공학부) , 김곤호 (서울대학교 공과대학 에너지시스템공학부)
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The effect of electrode charging on the ion energy distribution (IED) was investigated in the dual-frequency capacitively coupled plasma source which was powered of 100 MHz RF at the top electrode and 400 kHz bias on the bottom electrode. The charging property was analyzed with the distortion of the...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 플라즈마 장비의 바이어스전력의 주파수 선택시 고려해야 할 것은 무엇인가? | 반대로 이온 입사에너지를 제어하는 저주파전력은 인가전압을 증가시켜 입사이온에너지의 저에너지피크의 분포비율을 감소시킨다. 따라서 입사이온에너지에 대한 고주파전력의 영향은 저주파전력의 주파수가 전극 하전시간(RC 특성시간) 대비 낮아질수록 커지게 되며 플라즈마 장비의 바이어스전력의 주파수는 전극 하전시간을 고려하여 선택하여야 한다. . | |
| 연구에서 상하부 전극와 용기벽면에 대한 면적비를 Atop: Abottom: Awall = 1 : 0.6 : 2.36로 결정한 이유는 무엇인가? | 36 으로 3개의 전극을 갖는 모델로 해석을 하였다. 이는 간격이 매우 좁은 전극 구조를 갖는 용량성 결합 플라즈마원이 갖는 특징으로 벽으로 확산되어 손실되는 플라즈마 전류가 고려되었다[1]. 상부 전극에 100 MHz 전력을 RF정합회로를 통하여 상부전극에 인가하였으며, 400 kHz전력을 RF정합회로를 통하여 하부전극에 인가하였다. | |
| 이중 주파수 용량성 결합 플라즈마의 장점은 무엇인가? | 반도체 식각공정 장비에서 폭넓게 사용되고 있는 이중 주파수 용량성 결합 플라즈마(Dual-frequency CCP)는 식각공정 특성의 주요인자인 입사이온속(flux)과 이온입사에너지를 독립적으로 제어가 가능하다는 장점이 있다[1,2]. 이중 주파수 용량성 결합 플라즈마 장치의 입사 이온속의 제어는 플라즈마 가열에 효율적인 고주파 인가전력을 통하여 이루어지고 입사이온에너지의 제어는 고전압 인가가 용이한 저주파 인가전력을 통하여 이루어진다 |
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