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정보처리학회논문지. KIPS transactions on computer and communication systems 컴퓨터 및 통신 시스템, v.3 no.5, 2014년, pp.129 - 140
김태환 (숭실대학교 컴퓨터학과) , 장훈 (숭실대학교 컴퓨터학부)
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BIST(Built-in self test) is to detect various faults of the existing memory and BIRA(Built-in redundancy analysis) is to repair detected faults by allotting spare. Also, BISR(Built-in self repair) which integrates BIST with BIRA, can enhance the whole memory's yield. However, the previous methods we...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| NAND-형 플래시 메모리에서 발생할 수 있는 고장은 무엇이 있는가? | NAND-형 플래시 메모리에서 발생할 수 있는 고장으로 크게 두 가지로 구분할 수 있다. 먼저 기존의 RAM에서 발생했던 RAM-형 고장으로 SAF(Stuck-At Fault), TF(Transition Fault), AF(Address Decoder Fault), CF(Coupling Fault), SOF(Stuck-Open Fault)와 같은 고장들[5]과 플래시 메모리의 고유 고장인 Disturbance 고장[6]이 발생할 수 있다. 각각의 고장 모델의 설명은 다음과 같다. | |
| 플래시 메모리의 특징은? | 이러한 조건을 충족하기 위한 메모리로 플래시 메모리가 적합하다. 플래시 메모리는 비휘발성, 낮은 비용, 적은 전력소모량과 높은 신뢰도 등의 특징으로 모바일 장치의 메모리로 증가하고 있다. 그리고 플래시 메모리는 셀 배열의 구조에 따라 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 구분되어진다[1]. | |
| 플래시 메모리는 어떻게 구분되는가? | 플래시 메모리는 비휘발성, 낮은 비용, 적은 전력소모량과 높은 신뢰도 등의 특징으로 모바일 장치의 메모리로 증가하고 있다. 그리고 플래시 메모리는 셀 배열의 구조에 따라 NOR-형 플래시 메모리와 NAND-형 플래시 메모리로 구분되어진다[1]. NOR-형 플래시 메모리는 셀 단위접근이 가능하며 속도가 빠른 장점이 있지만 비용이 높기 때문에 모바일 장치의 메모리로 사용하기에는 부적합하다. |
M. G. Mohammad, K. K. Saluja, and A. Yap, "Testing Flash Memories", In Proceedings of Thirteenth Intel Conference on VLSI Design, pp.406-411, 2000.
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