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제안 방법
- 에 Rubrene을 1 vol.% 도핑한 ITO / 2-TNATA / NPB / Alq3:Rubrene / Alq3 / LiF / Al 구조의 OLED를 제작하였고, 소자의 봉지를 위하여 음극 Al 위에 유기박막 (Alq3), 무기박막 (LiF)과 금속박막 (Al)을 열증착법 (Evaporation)으로 증착하고 SiNx 박막을 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)로 증착한 후 금속 필름을 부착하였다. 제작된 소자는 전류-전압-발광휘도 (I-V-L)와 수명을 측정하였다.
- SiNx 박막은 PECVD 방법으로 SiH4와 N2 가스를 사용하여 형성하였다. N2 가스의 유량을 변화시켜 형성한 SiNx 막의 특성을 측정하여 최적 조건의 보호막인 SiNx를 형성하였다. 이후 금속 필름을 라미네이션 방법으로 부착하였다.
- OLED는 30 Ω/□의 저항을 가지는 ITO(Indium Tin Oxide)가 증착된 PES (Polyether Sulfone) 기판을 사용하여 사진 식각과정에 의하여 양극전극의 패턴을 형성하고, 산소분위기에서 5 × 10−1 torr의 조건으로 플라즈마 처리를 하였다.
- OLED의 발광을 위하여 양극인 ITO에 (+) 전압을 인가하고 음극인 Al에 (−) 전압을 인가하는 전원 인가 장치로 Keithley의 2400 Source Meter를 사용하여 전압과 전류를 인가하였고, OLED에서 발광된 휘도는 Photo Research사의 PR-650을 사용하여 측정하였다.
- OLED의 발광을 위하여 양극인 ITO에 (+) 전압을 인가하고 음극인 Al에 (−) 전압을 인가하는 전원 인가 장치로 Keithley의 2400 Source Meter를 사용하여 전압과 전류를 인가하였고, OLED에서 발광된 휘도는 Photo Research사의 PR-650을 사용하여 측정하였다. OLED의 수명은 JYS Co., Ltd의 OLED Life Time Tester를 사용하여 전원을 인가하고 변화하는 휘도를 측정하였다. 또한, 정확한 수명 특성을 비교하기 위하여 항온항습기를 사용하여 동일한 습도와 온도 조건에서 수명을 측정하였다.
- 박막을 150 nm 증착한 후 시간 경과에 따른 저항을 측정한 것이다. SiNx 박막은 PECVD 방법으로 SiH4의 유량을 20 sccm으로 고정하고 N2 유량을 15, 20, 25, 30, 35 sccm으로 변화시켜 증착하였다. N2의 유량이 15 sccm인 경우 13시간, 20 sccm 인 경우 54시간, 25 sccm인 경우 25시간, 30 sccm 인 경우 20시간, 35 sccm인 경우 6시간이 경과한 후에 저항이 급격하게 증가하였다.
- 그림 7은 유무기 다층 박막을 적용한 플렉시블 OLED의 시간 경과에 따른 발광휘도의 변화를 나타낸 것으로 초기 휘도를 1,000 cd/m2로 설정하고 OLED Life Time Tester를 사용하여 시간에 따라 변화하는 휘도를 %로 측정하였다. 플렉시블 소자에 기본 봉지 박막을 적용한 OLED #1은 7시간이 경과한 후에 발광휘도가 50%까지 감소하였다.
- , Ltd의 OLED Life Time Tester를 사용하여 전원을 인가하고 변화하는 휘도를 측정하였다. 또한, 정확한 수명 특성을 비교하기 위하여 항온항습기를 사용하여 동일한 습도와 온도 조건에서 수명을 측정하였다. OLED Life Time Tester는 장착되는 소자의 초기 휘도를 상대적인 값으로 인식하고 시간에 따라서 변화하는 휘도를 %로 측정하기 때문에 기준이 되는 초기휘도를 1,000 cd/m2로 설정하였다.
- N2 가스의 유량을 변화시켜 형성한 SiNx 막의 특성을 측정하여 최적 조건의 보호막인 SiNx를 형성하였다. 이후 금속 필름을 라미네이션 방법으로 부착하였다.
- 플렉시블 OLED의 수명 향상을 위하여 보호막으로 사용되는 SiNx 박막을 PECVD 방법으로 제작하였다. SiNx 박막 형성 조건을 최적화하기 위하여 SiH4의 유량을 20 sccm으로 고정하고 N2의 유량을 15, 20, 25, 30, 35 sccm으로 변화시켜 제작한 박막에 대하여 Ca 테스트를 실시한 결과 SiH4 20 sccm 과 N2 20 sccm에서 산소와 수분을 차단할 수 있는 최적의 특성을 나타내는 것을 확인하였다.
대상 데이터
- 플렉시블 OLED를 제작하기 위하여 ITO가 증착된 PES 기판을 사용하여 ITO / 2-TNATA {4,4',4''- Tris(2-naphthylphenyl amino)}, 50 nm / NPB {N,N'-bis- (1-naphyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine}, 30 nm / Alq3 {Aluminum tris(8-hydroxyquinoline)} : Rubrene {(5,6,11,12)-Tetraphenylnaphthacene}, 30 nm, 1 vol.% / Alq3, 30 nm / LiF, 0.7 nm / Al, 200 nm 구조의 OLED를 제작하고, 그 위에 보호층으로 Alq3 (150 nm) / LiF (150 nm) / Al (600 nm) / SiNx (400 nm)를 증착하였다. SiNx 박막은 PECVD 방법으로 SiH4와 N2 가스를 사용하여 형성하였다.
- % 도핑한 ITO / 2-TNATA / NPB / Alq3:Rubrene / Alq3 / LiF / Al 구조의 OLED를 제작하였고, 소자의 봉지를 위하여 음극 Al 위에 유기박막 (Alq3), 무기박막 (LiF)과 금속박막 (Al)을 열증착법 (Evaporation)으로 증착하고 SiNx 박막을 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)로 증착한 후 금속 필름을 부착하였다. 제작된 소자는 전류-전압-발광휘도 (I-V-L)와 수명을 측정하였다.
이론/모형
- 7 nm / Al, 200 nm 구조의 OLED를 제작하고, 그 위에 보호층으로 Alq3 (150 nm) / LiF (150 nm) / Al (600 nm) / SiNx (400 nm)를 증착하였다. SiNx 박막은 PECVD 방법으로 SiH4와 N2 가스를 사용하여 형성하였다. N2 가스의 유량을 변화시켜 형성한 SiNx 막의 특성을 측정하여 최적 조건의 보호막인 SiNx를 형성하였다.
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