$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

ENEPIG 표면처리에서의 Sn-Ag-Cu 솔더조인트 신뢰성: 1. 무전해 Ni-P도금의 두께와 표면거칠기의 영향
Reliability of Sn-Ag-Cu Solder Joint on ENEPIG Surface Finish: 1. Effects of thickness and roughness of electroless Ni-P deposit 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.21 no.3, 2014년, pp.43 - 50  

허석환 (삼성전기 ACI사업부) ,  이지혜 (삼성전기 ACI사업부) ,  함석진 (삼성전기 ACI사업부)

초록
AI-Helper 아이콘AI-Helper

전자 제품의 경박 단소화 및 고집적화가 이루어 지면서 실리콘 집과 인쇄회로기판의 인터커넥션의 고신뢰도가 요구되고 있다. 본 연구는 Sn-4.0wt%Ag-0.5wt%Cu (SAC405) 솔더와 다양한 무전해 Ni-P 도금 두께에서의 high speed shear 에너지 및 파괴 모드를 연구하였다. 파괴 모드 분석을 위하여 집속이온빔(FIB) 분석이 이용되었다. 질산 기상 처리하지 않은 $1{\mu}m$ Ni-P 시편에서 낮은 shear 에너지가 나왔으며, 이는 솔더레지스트 선단에서 파단의 원인을 제공하는 것이 확인되었다. 질산 기상 처리한 시편에서 무전해 Ni-P 도금 두께가 커질수록 취성 파괴 모드는 감소한다. 또 Ni-P 도금 두께와 표면 거칠기(Ra)는 반비례 관계를 가진다. 이는 Ni-P 도금의 표면 거칠기를 낮추면 SAC405 솔더 조인트의 신뢰도를 향상시킨다는 사실을 나타낸다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

By the trends of electronic package to be smaller, thinner and more integrative, the reliability of interconnection between Si chip and printed circuit board is required. This paper reports on a study of high speed shear energy of Sn-4.0wt%Ag-0.5wt%Cu (SAC405) solder joints with different the thickn...

주제어

AI 본문요약
AI-Helper 아이콘 AI-Helper

* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • Ni-P 도금두께와 질산 기상 처리에 의해 제작된 시편들의 high speed shear 에너지에 미치는 영향을 조사하여 다음과 같은 결론을 얻었다.
  • 본 연구에서는 Ni-P 도금 두께에 대한 솔더 조인트 신뢰성을 연구하기 위하여 Ni-P 도금 두께별 high speed shear 평가를 통하여 shear 에너지 변화를 관찰하였고, 특히 Ni-P 도금두께와 Ni 부식의 영향도 분석을 위하여 질산 기상 처리를 통하여 high speed shear 에너지 변화와 계면 미세 조직을 고찰하여 shear 에너지에 영향을 주는 인자를 검토하였다.
본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
Sn-Ag-Cu 삼원계 무연 솔더와 무전해 Ni-P/ Au (ENIG) 표면처리의 장단점은? 전자제품의 경박단소화 및 고집적화에 대한 기술개발이 지속적으로 이루어 지면서 실리콘 칩과 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)의 인터커넥션(interconnection)의 고신뢰도가 요구되고 있다. 무연 솔더(Pb-free solder)와 유기 기판의 표면처리에 따른 솔더 조인트 신뢰성에 대한 연구가 보고 되고 있으며, Sn-Ag-Cu 삼원계 무연 솔더와 무전해 Ni-P/ Au (ENIG) 표면처리는 높은 가격에도 불구하고 우수한 solderability과 부식저항성으로 널리 사용되고 있다.1-6) 그러나 솔더 조인트에서의 ENIG 도금의 취성파괴가 보고되고, 이는 Ni-P도금과 솔더와의 계면층에서의 P의 편석, 무전해 Ni-P도금의 계면 반응층에서의 크랙과 void의 생성, immersion Au 도금bath에서의 Ni의galvanic hyper-corrosion 등이 보고7-9) 되면서 대안 찾기로 ENIG 도금에 무전해 Pd를 추가한 무전해 Ni-P/Pd/Au가 제안되었다.
실리콘 칩과 인쇄회로기판의 인터커넥션의 고신뢰도가 요구되고 있는 까닭은? 전자제품의 경박단소화 및 고집적화에 대한 기술개발이 지속적으로 이루어 지면서 실리콘 칩과 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)의 인터커넥션(interconnection)의 고신뢰도가 요구되고 있다. 무연 솔더(Pb-free solder)와 유기 기판의 표면처리에 따른 솔더 조인트 신뢰성에 대한 연구가 보고 되고 있으며, Sn-Ag-Cu 삼원계 무연 솔더와 무전해 Ni-P/ Au (ENIG) 표면처리는 높은 가격에도 불구하고 우수한 solderability과 부식저항성으로 널리 사용되고 있다.
질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (21)

  1. D. Cullen, E. Huenger, M. Toben, B. Houghton and K. Johal "A study on interfacial fracture phenomenon of solder joints formed using the electroless nickel/immersion gold surfaces finish", Proc. IPC works 2000, s03, (2000). 

  2. Y. C. Sohn, and J. Yu "Correlation between interfacial reaction and brittle fracture found in elecroless Ni(P) metallization", J. Microelectro. & Packag. Soc., 12-1, 41 (2005). 

  3. Z. Mei, M. Kauffmann, A. Eslambolchi and P. Jonson, "Brittle interfacial fracture of PBGA packages on electroless Ni/ immersion Au", Proc. 48th Electronics Component and Technology Conference, 952 (1998). 

  4. G. M. Wenger, R. J. Coyle, P. P. Solan, J. K. Dorey, C. V. Dodde, R. Erich and A. Primavera, "Case studies of brittle interfacial fractures in area array solder intercommnects", Proc. 26th International Symposium for testing and failure analysis, 355 (2000). 

  5. T. I. Eijim, D. B. Hollesen, A. Holliday, S. A. Gahr and R. J. Coyle "Assembly and reliability of thermally enhanced high I/O BGA packages", Proc. 21th IEEE International Electronics Manufacturing Symposium, 25 (1997). 

  6. J. W. Jang, D. R. Frear, T. Y. Lee and K. N. Tu "Morpholgy of interfacial reaction between lead-free solders and electroless Ni-P under bump metallization", J. Appl. Phys., 88-11, 6359 (2000). 

  7. D. Goyal, T. Lane, P. Kinzie, C. Panichas, K. M. Chong and O. Villalobos "Failure mechanism of brittle solder joint fracture in the presence of electroless Ni immersion gold (ENIG) interface", Proc. 52nd Electronic Component and Technology Conference, 732 (2002). 

  8. K. Zeng, R. Stierman, D. Abbott and M. Murtuza "The root cause of black pad failure of solder joints with electroless Ni/ immersion gold plating", JOM, 75 (2006). 

  9. D. G. Lee, T. J. Chung, J. W Choi, S. H. Huh, S. J. Cho, Y. J. Yoon and B. Y. Min "New surface finish of the substrate for the flip chip packaging", SEMICON Korea 2007, 255 (2007). 

  10. J. H. Lee, S. H. Huh, G. H. Jung, and S. J. Ham "Effects of the electroless Ni-P thickness and assembly process on solder ball joint reliability", J. KWS, 34(3), 60 (2014). 

  11. A. Kumar and Z. Chen "Effect of Ni-P thickness on the tensile strength of Cu/Electroless Ni-P/Sn-3.5Ag solder joint", 7th Electronics Packaging Technology Conference, IEEE, 873 (2005). 

  12. K. Pun, P. L. Eu, M. N. Islam and C. Q. Cui "Effect of Ni layer thickness on intermetallic formation and mechanical strength of Sn-Ag-Cu solder joint", 10th Electronics Packaging Technology Conference, IEEE, 487 (2008). 

  13. S. H. Huh, K. D. Kim and K. S. Kim "A novel high speed shear test for lead free flip chip package, Electron". Mater. Lett., 8(1), 53 (2012). 

  14. W. L. Liu, S. H. Hsieh, and W. J. Chen "Growth behavior of Ni-P film on Fe/Si substrate in an acid electroless plating bath", Electrochem. Soc., 155(3), D192 (2008). 

  15. D. K. Lee, D. G. Kim, and B. Y. Yoo "Influence of doping on Ni electroless deposition at single crystalline Si", Electrochem. Soc., 158(8), D490 (2011). 

  16. J. W. Yoon, J. W. Kim, J. M. Koo, S. S. Ha, B. I. Noh, W. C. Moon, J. H. Moon, and S. B. Jung "Flip-chip bonding technology and reliability of electronic packaging", J. KWS, 25, 6 (2007). 

  17. S. S. Ha, J. W. Kim, J. H. Chae, W. C. Moon, T. H. Hong, C. S. Yoo, J. H. Moon and S. B. Jung "Thermo-mechanical reliability of lead-free surface mount assemblies for automobile application", J. KWS, 24, 21 (2006). 

  18. Y. C. Sohn and J. Yu, " Correlation between interfacial reaction and brittle fracture found in elecroless Ni(P) metallization", J. Microelectro. Packag. Soc., 12(1), 41 (2005). 

  19. M. H. Park, E. J. Kwon, H. B. Kang, S. B. Jung, and C. W. Yang "TEM study on the interfacial reaction between electroless plated Ni-P/Au UBM and Sn-3.5Ag solder", Metals and Materials international, 13, 235 (2007). 

  20. J. Y. Lim, D. Y. Jang and H. S. Ahn, "Experimental and numerical study on board level impact test of SnPb and SnAgCu BGA assembly packaging", J. Microelectron. Packag. Soc., 15(4), 77 (2008). 

  21. I. M. Jang, J. H. Park and Y. S. Ahn, "Effect of reflow number and surface finish on the high speed shear properties of Sn- Ag-Cu lead-free solder bump", J. Microelectron. Packag. Soc., 16(3), 11 (2009). 

저자의 다른 논문 :

섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로