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電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 = The Proceedings of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.26 no.3, 2015년, pp.3 - 7
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| GaN 기반 HEMT 구조에서 오믹 접촉 형성이 어려운 이유는? | GaN 기반 HEMT 구조는 넓은 밴드갭 에너지와 높은 쇼트키 barrier height 때문에 다른 반도체 물질들에 비해서 오믹 접촉 형성이 어렵다고 알려져 있다.[11] 상대적으로 높은 오믹 접촉 저항값은 소스 access 저항을 증가시켜 HEMT 소자의 고주파 전달 특성을 제한하게 된다. | |
| GaN의 특성은 무엇인가? | 기존의 Silicon 또는 SiC에 기반한 고주파용 전력 소자들에서 최근에는 GaN 성장기술의 발전에 힘입어 GaN 기반 고전자이동도 트랜지스터(HEMT: High Electron Mobility Transistor) 기술에 대한 연구가 활발히 진행 중에 있다. 아래 <표 1>에서 볼 수 있듯이, GaN는 Silicon 및 GaAs에 비해 넓은 bandgap 특성을 가지며, 높은 breakdown field 특성을 가지고 있기 때문에 우수한 항복전압 특성을 보인다. 또한 GaN는 4H-SiC보다 높은 전자 이동도 및 포화 전자 속도를 가지고 있기 때문에 동시에 높은 주파수 특성 역시 보일 수있다. | |
| GaN 기반의 소자에서 에피층 성장 기술이 필요한 이유는? | GaAs 또는 InP에 기반한 HEMT 구조에서는 쇼트키 장벽층에 델타도핑을 수행하며, 이곳에서 생성된 전자들이 이종 접합을 사용하여 형성한 양자 우물로 이동하여 2차원 전자 구름층을 만드는데 반하여, GaN 기반의 HEMT 구조에서는 쇼트키 장벽층의 도핑 없이 이종접합을 형성하는 물질의 분극의 차이 때문에 생성되는 전자들로도 양자 우물에 높은 농도의 2차원 전자구름을 형성할 수 있다. 따라서 GaN 기반의 소자에서는 자연적으로 에피층 사이 계면에서의 전하들의 축적을 인위적으로 조절할 수 있는 에피층 성장 기술이 필수적이다. |
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