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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.26 no.3, 2016년, pp.89 - 94
이원준 (동의대학교 신소재공학과 전자세라믹센터) , 박미선 (동의대학교 신소재공학과 전자세라믹센터) , 장연숙 (동의대학교 신소재공학과 전자세라믹센터) , 이원재 (동의대학교 신소재공학과 전자세라믹센터) , 하주형 ((주)루미지엔테크) , 최영준 ((주)루미지엔테크) , 이혜용 ((주)루미지엔테크) , 김홍승 (한국해양대학교 전자전기정보공학부)
In this study, the crystalline property of a-plane GaN epitaxial layer grown on r-plane sapphire by a HVPE method has been investigated according to the V/III ratio and the growth time of multi-step growth. Furthermore, these results were compared with the previous result obtained from the single-st...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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cplane 사파이어 기판을 사용할 때의 자발 분극(Spontaneous polarization)과 압전 분극(Piezoelectric polarization)에 의해 내부양자효율이 저하 되는 현상 문제를 해결할 수 있는 방법은? | 현재 상용화 되어 있는 GaN계 LED용 기판재료로 cplane 사파이어 기판이 가장 널리 이용되고 있으나, cplane GaN 발광층은 자발 분극(Spontaneous polarization)과 압전 분극(Piezoelectric polarization)에 의해 내부양자효율이 저하 되는 현상이 발생한다[4, 5]. 언급한 문제들을 비/반극성 GaN 박막을 사용하여 해결할 수 있기 때문에 최근 들어 비/반극성 UV-LED에 대한 연구와 결정성을 향상시키기 위해 multi-step을 이용한 성장에 대해 많은 연구가 진행되고 있다[6, 7]. | |
V/III족 질화물 반도체인 GaN와 InN, AlN 등의 장점은? | V/III족 질화물 반도체인 GaN와 InN, AlN 등은 우수한 특성들 때문에 가시광선 영역과 자외선 영역에서 LED(Light Emitting Diode) 분야로 성공적인 개발이 이루어져왔다[1]. 이러한 질화물 반도체들은 0.7 eV(InN)에서 6.2 eV(AlN)의 범위에 이르는 넓은 밴드구조를 가지며 자외선에서 적외선 영역에 이르기까지 폭넓은 발광대역의 제어와 고온 및 고출력 환경에서 소자의 안정된 동작이 가능하다는 장점들로 인해 현재 LED 외에 LD(Laser Diode)와 고주파 장비들에서도 개발이 활발히 이루어지고 있다[2, 3]. | |
cplane 사파이어 기판의 문제점은? | 현재 상용화 되어 있는 GaN계 LED용 기판재료로 cplane 사파이어 기판이 가장 널리 이용되고 있으나, cplane GaN 발광층은 자발 분극(Spontaneous polarization)과 압전 분극(Piezoelectric polarization)에 의해 내부양자효율이 저하 되는 현상이 발생한다[4, 5]. 언급한 문제들을 비/반극성 GaN 박막을 사용하여 해결할 수 있기 때문에 최근 들어 비/반극성 UV-LED에 대한 연구와 결정성을 향상시키기 위해 multi-step을 이용한 성장에 대해 많은 연구가 진행되고 있다[6, 7]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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