최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.30 no.12, 2017년, pp.757 - 761
장원재 (미시건주립대학교 전자공학과)
The computational fourier-transform moire (CFTM) method has been briefly explained and this method was used to perform strain analysis of a misfit dislocation in a strained
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
격자불일치 전위결함이 실리콘 트랜지스터에 주는 영향은 무엇인가? | 이렇게 격자불일치 전위결함이 발생하게 되면 변형률에 변화가 발생한다. 이러한 격자불일치 전위결함이 발생하면 소자의 전기적인 특성에 영향을 주며 예를 들면 실리콘 트랜지스터에서는 [1] 변형률에 의해 증가된 캐리어의 이동도의 특성이 완화된 변형률에 의해 캐리어의 이동도가 저하되며 태양 전지 소자의 경우 격자불일치 전위결함에서 캐리어의 재결합이 발생하여 변환효율을 저하시키는 원인이 된다. | |
언랩핑은 무엇인가? | GPA의 단점을 보완하기 위해 저자에 의해 적용된 CFTM 방법의 가장 큰 장점은 언랩핑 알고리즘이 필요 없다는 점이다. 여기서 언랩핑이라는 알고리즘은 GPA 방법에서 사용하는 위상이미지를 미분하기 위해 위상이미지에 존재하는 불연속 값들을 제거하는 절차이다. 그러나 격자들이 있는 이미지에서 격자들의 변형률이 복잡하면 복잡할수록 위상이미지에 존재하는 불연속 값들이 더욱 불규칙적으로 복잡한 형태로 존재하게 되기 때문에 이렇게 복잡하게 얽혀 있는 불연속 값들을 찾는 과정이 복잡하여 언랩핑 과정에서 오류가 발생할 수 있다. | |
GPA 방법의 단점을 해결하기 위해 언랩핑 절차를 사용하는데, 이 때 한계점은? | 그러나 GPA 방법을 사용하게 되면 한 가지 단점이 있는데, 변형률 계산 과정에서 위상이미지(phase image)가 필요하고 그 위상이미지에 존재하는 불연속 값들을 제거하기 위해 언랩핑(unwrapping) 절차를 사용해야 한다. 이러한 불연속 값들은 변형률이 간단하면 불연속 값들도 이미지에 규칙적으로 존재하여 언랩핑 알고리즘 을 만들기 비교적 쉬우나, 변형률이 규칙적이지 않고 복잡한 경우는 불연속 값들이 불규칙적으로 존재하여 언랩핑 알고리즘을 만들기 상당히 어려우며 언랩핑 알 고리즘에 오류가 있는 경우 측정된 변형률이 부정확할 수 있다. 따라서 언랩핑 알고리즘 없이 변형률을 분석 할 수 있는 방법이 필요하다. |
F. Hue, M. Hytch, H. Bender, F. Houdellier, and A. Claverie, Phys. Rev. Lett., 100, 156602 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.156602]
M. J. Hytch, E. Snoeck, and R. Kilaas, Ultramicroscopy, 74, 131 (1998). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0304-3991(98)00035-7]
M. J. Hytch, J. L. Putaux, and J. M. Penisson, Nature, 423, 270 (2003). [DOI: https://doi.org/10.1038/nature01638]
G. Ade and R. Lauer, Ultramicroscopy, 77, 177 (1999). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0304-3991(99)00037-6]
S. L. Sahonta, G. P. Dimitrakopulos, Th. Kehagias, J. Kioseoglou, A. Adikimenakis, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, H. Kirmse, W. Neumann, and Ph. Komninou, Appl. Phys. Lett., 95, 021913 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3184593]
G. Ade, Microelectron. Eng., 51, 3 (2000). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00454-2]
E. Guerrero, P. Galindo, A. Yanez, T. Ben, and S. I. Molina, Microsc. Microanal., 13, 320 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1017/S1431927607070407]
A. Delimitis, Ph. Komninou, G. P. Dimitrakopulos, Th. Kehagias, J. Kioseoglou, and Th. Karakostas, Appl. Phys. Lett., 90, 061920 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2470496]
M. J. Hytch, Microsc. Microanal. Microstruct., 8, 41 (1997). [DOI: https://doi.org/10.1051/mmm:1997105]
W. Chang and T. D. Brown, Micron, 42, 392 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.micron.2010.11.002]
A. K. Singh, J. Tiwari, A. Yadav, and R. K. Jha, J. Energy, 2014, 1 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1155/2014/946406]
M. K. Das and S. K. Choudhary, Appl. Phys. A, 112, 543 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1007/s00339-013-7761-9]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.