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논문 상세정보

용액공정으로 제작한 PVP-IZO TFT의 UV-O3 처리를 통한 전기적 특성 향상 연구

Study on Electrical Characteristic Improvement of PVP-IZO TFT Prepared by Solution Process Using UV-O3 Treatment

Abstract

In this paper, solution based Indium Zinc Oxide thin film transistors (IZO TFTs) were fabricated with PVP gate dielectric. To enhance the electrical properties, UV-O3 treatment is proposed on solution based IZO TFTs. The gate leakage current and interface trap density is compatible with conventional ZnO-based TFT with inorganic gate insulator. Especially, the UV-treated device shows improved electrical characteristics compared to the untreated device. These results can be explained by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, which shows that the oxygen vacancy of UV-O3 treatment is higher than that of no treatment.

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