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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.21 no.1, 2017년, pp.82 - 89
이기훈 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 강태곤 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 이규연 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University) , 박종태 (Department of Electronic Engineering, Incheon National University)
In this work, InGaZnO thin film transistors with Ni, Al and ITO source and drain electrode materials were fabricated to analyze a hot carrier induced device degradation according to the electrode materials. From the electrical measurement results with electrode materials, Ni device shows the best el...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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전극 재료에 따른 소자의 전기적 특성을 분석한 결과 Ni 소자가 무엇이 가장 우수하였는가? | 본 연구에서는 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화를 분석하기 위해 Ni, Al, 및 ITO를 소스 및 드레인 전극 재료로 사용하여 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극 재료에 따른 소자의 전기적 특성을 분석한 결과 Ni 소자가 이동도, 문턱전압 이하 스윙, 구동전류 대 누설전류 비율이 가장 우수하였다. 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화 측정결과 Al 소자의 열화가 가장 심한 것을 알 수 있었다. | |
Ni, Al, 및 ITO를 소스 및 드레인 전극 재료로 사용하여 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작한 이유는? | 본 연구에서는 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화를 분석하기 위해 Ni, Al, 및 ITO를 소스 및 드레인 전극 재료로 사용하여 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극 재료에 따른 소자의 전기적 특성을 분석한 결과 Ni 소자가 이동도, 문턱전압 이하 스윙, 구동전류 대 누설전류 비율이 가장 우수하였다. | |
채널 폭이 넓을수록 또 스트레스 드레인 전압이 높을수록 소자 열화가 많이 되었다는 결과로 부터 무엇을 알 수 있었는가? | 그 결과 채널 폭이 넓을수록 또 스트레스 드레인 전압이 높을수록 소자 열화가 많이 되었다. 측정결과로부터 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화는 큰 채널 전계와 주울 열의 결합 작용으로 발생함을 알 수 있었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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