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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.2, 2018년, pp.344 - 349
강민성 (School of Semiconductor Science and Technology, and Chemical Engineering) , 박용운 (School of Semiconductor Science and Technology, and Chemical Engineering) , 최철종 (School of Semiconductor Science and Technology, and Chemical Engineering) , 양전욱 (School of Semiconductor Science and Technology, and Chemical Engineering)
Low temperature variation of electrical characteristics for AlGaN/GaN/HEMT was studied. To investigate the effect of temperatures, transistor was cool down to
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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AlGaN/GaN HEMT의 장점은? | GaN과 AlGaN은 넓은 밴드갭을 가져 지구 밖의 우주와 방사선량이 많은 곳에서 사용되는 방사선에 대한 저항성을 가진 전자소자의 재료로 매우 유용하다.[1] 이를 이용한 AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 방사선에 대한 저항성뿐 아니라 높은 전력 및 고속동작이 가능하므로 최근 그 중요성이 매우 커지고 있는 우주개발과 우주항공 분야에서 최적의 전자소자로 볼 수 있다.[2],[3] 이러한 우주와 방사선량이 많은 환경은 대부분 매우 낮은 온도로 유지되고 있으며, 이들 중의 한 곳인 대기의 중간권의 경우–90 ℃의 낮은 온도에 이르는 권역도 존재한다. | |
GaN과 AlGaN의 특징은? | GaN과 AlGaN은 넓은 밴드갭을 가져 지구 밖의 우주와 방사선량이 많은 곳에서 사용되는 방사선에 대한 저항성을 가진 전자소자의 재료로 매우 유용하다.[1] 이를 이용한 AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 방사선에 대한 저항성뿐 아니라 높은 전력 및 고속동작이 가능하므로 최근 그 중요성이 매우 커지고 있는 우주개발과 우주항공 분야에서 최적의 전자소자로 볼 수 있다. | |
우주항공 분야에서 낮은 온도에서의 동작에 대한 안정성이 중요한 이유는? | [1] 이를 이용한 AlGaN/GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 방사선에 대한 저항성뿐 아니라 높은 전력 및 고속동작이 가능하므로 최근 그 중요성이 매우 커지고 있는 우주개발과 우주항공 분야에서 최적의 전자소자로 볼 수 있다.[2],[3] 이러한 우주와 방사선량이 많은 환경은 대부분 매우 낮은 온도로 유지되고 있으며, 이들 중의 한 곳인 대기의 중간권의 경우–90 ℃의 낮은 온도에 이르는 권역도 존재한다. 따라서 이들 환경에서 적용하기 위한 부품은 낮은 온도에서의 동작에 대한 안정성이 매우 중요하다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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