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전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.6, 2018년, pp.386 - 391
이원준 (동의대학교 신소재공학과) , 박미선 (동의대학교 신소재공학과) , 이원재 (동의대학교 신소재공학과) , 김일수 (동의대학교 신소재공학과) , 최영준 ((주)루미지엔테크) , 이혜용 ((주)루미지엔테크)
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An epitaxial GaN layer was grown on a cone-shape-patterned sapphire substrate (PSS) (Sample A) and an AlN-buffered PSS (Sample B) with two growth steps under the same process conditions by employing the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. We have investigated the characteristics of the GaN la...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| PSS (patterned sapphire substrate)를 이용한 GaN층 성장을 하는 이유는? | 이를 해결하기 위한 많은 기술들 중에서 PSS (patterned sapphire substrate)를 이용한 GaN층 성장은 널리 알려진 바와 같이 광 추출 효율의 향상과 함께 관통 전위 밀도를 감소시킬 수 있기 때문에 패턴 기반 사파이어기판(PSS)이 GaN 기반 LED에 광범위하게 사용된다. | |
| AlN buffered PSS 상에 성장된 GaN층의 장점은? | 전체적인 성장 공정은 각각의 기판 위에 동일한 조건하에서 V/III족 비율이 다른 두 가지 성장 단계로 구성된다. AlN buffered PSS 상에 성장된 GaN층은 PSS위에 성장된 GaN층보다 우수한 광학적 특성, 결정 품질 그리고 낮은 결함 밀도를 가진 것으로 드러났다. PL을 이용한 광학적 특성 분석 결과 PSS 위에 성장된 GaN층은 red shift가 발생하였으나 AlN buffered PSS 위에 성장된 GaN층의 경우에는 적색편이가 발생하지 않았다. | |
| 발광 다이오드(light emitting diode, LED)에 사용되는 GaN이 최근 여러분야에서 주목받는 이유는? | 최근 발광 다이오드(light emitting diode, LED)에 사용되는 GaN는 고체조명 분야 외에도 생화학, 수질 및 공기 정화, 살균 및 살균과 같은 다양한 분야에서 주목을 받고 있다 [1-5]. 구조가 강하고 변환 효율이 높으며 수명이 길기 때문이다 [6,7]. 벌크 GaN 기판은 드물고 가격이 매우 비싸기 때문에 GaN 기반 LED 구조 제작 시 GaN는 일반적으로 (0001) c-plane 사파이어 기판 위에 성장된다 [8,9]. |
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