이산화주석은 Rutile 구조를 갖는 Oxygen-Deficient n-type 반도체 물질로서, $H_2$, CO, $CO_2$ 등의 가스 분자가 표면에 흡착되면 전기저항이 변하는 특성을 가지고 있고, 이러한 성질을 활용하면 다양한 가스의 감지가 가능하기 때문에 가스센서로 연구가 활발히 이루어지고 있다. 나노구조물의 경우 Bulk 상태보다 체적 대비 표면적비가 높기 때문에 기체의 흡착이 유리하고, 가스 센서의 성능이 향상될 수 있다. 본 연구에서는 Thermal CVD 공정을 이용하여 SnO Nanoplatelet을 Si 기판위에 Dense하게 성장시켰다. 기상 수송 방법(Vapor Transport Method)으로 성장된 SnO 나노구조물을 Thermal CVD System을 이용하여 산소분위기에서 $830^{\circ}C$ 및 $1030^{\circ}C$에서 열처리(Post-Annealing)하여 $SnO_2$ 상(Phase)을 갖도록 하였다. 열처리 과정동안 쳄버의 압력을 4.2 Torr로 일정하게 유지시켰다. 열처리 된 SnO 나노구조물의 결정학적 특성을 Raman Spectroscopy 및 XRD 분석을 통하여 확인하였고, 형태학적 변화를 주사전사현미경(Scanning Electron Microscopy)을 통하여 확인하였다. 분석결과 SnO 나노구조물은 열처리 과정을 통하여 $SnO_2$ 나노구조물로 상변환 되었다.
이산화주석은 Rutile 구조를 갖는 Oxygen-Deficient n-type 반도체 물질로서, $H_2$, CO, $CO_2$ 등의 가스 분자가 표면에 흡착되면 전기저항이 변하는 특성을 가지고 있고, 이러한 성질을 활용하면 다양한 가스의 감지가 가능하기 때문에 가스센서로 연구가 활발히 이루어지고 있다. 나노구조물의 경우 Bulk 상태보다 체적 대비 표면적비가 높기 때문에 기체의 흡착이 유리하고, 가스 센서의 성능이 향상될 수 있다. 본 연구에서는 Thermal CVD 공정을 이용하여 SnO Nanoplatelet을 Si 기판위에 Dense하게 성장시켰다. 기상 수송 방법(Vapor Transport Method)으로 성장된 SnO 나노구조물을 Thermal CVD System을 이용하여 산소분위기에서 $830^{\circ}C$ 및 $1030^{\circ}C$에서 열처리(Post-Annealing)하여 $SnO_2$ 상(Phase)을 갖도록 하였다. 열처리 과정동안 쳄버의 압력을 4.2 Torr로 일정하게 유지시켰다. 열처리 된 SnO 나노구조물의 결정학적 특성을 Raman Spectroscopy 및 XRD 분석을 통하여 확인하였고, 형태학적 변화를 주사전사현미경(Scanning Electron Microscopy)을 통하여 확인하였다. 분석결과 SnO 나노구조물은 열처리 과정을 통하여 $SnO_2$ 나노구조물로 상변환 되었다.
Tin dioxide, $SnO_2$, is a well-known n-type semiconductor that shows change in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, CO, and $CO_2$. Considerable research has been done on $SnO_2$ semiconductors for gas sensor applications due to the...
Tin dioxide, $SnO_2$, is a well-known n-type semiconductor that shows change in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, CO, and $CO_2$. Considerable research has been done on $SnO_2$ semiconductors for gas sensor applications due to their noble property. The nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in the sensing of gas molecules. In this study, SnO nanoplatelets were grown densely on Si substrates using a thermal CVD process. The SnO nanostructures grown by the vapor transport method were post annealed to a $SnO_2$ phase by thermal CVD in an oxygen atmosphere at $830^{\circ}C$ and $1030^{\circ}C$. The pressure of the furnace chamber was maintained at 4.2 Torr. The crystallographic properties of the post-annealed SnO nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The change in morphology was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the SnO nanostructures were transformed to a $SnO_2$ phase by a post-annealing process.
Tin dioxide, $SnO_2$, is a well-known n-type semiconductor that shows change in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, CO, and $CO_2$. Considerable research has been done on $SnO_2$ semiconductors for gas sensor applications due to their noble property. The nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in the sensing of gas molecules. In this study, SnO nanoplatelets were grown densely on Si substrates using a thermal CVD process. The SnO nanostructures grown by the vapor transport method were post annealed to a $SnO_2$ phase by thermal CVD in an oxygen atmosphere at $830^{\circ}C$ and $1030^{\circ}C$. The pressure of the furnace chamber was maintained at 4.2 Torr. The crystallographic properties of the post-annealed SnO nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The change in morphology was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the SnO nanostructures were transformed to a $SnO_2$ phase by a post-annealing process.
본 연구에서는 유해가스 환경모니터링에 적용 될 수 있는 소재인 산화주석을 Thermal CVD를 이용하여 직접성장 및 열처리의 효과를 분석하는 연구를 진행하였으며, 다음과 같이 결론을 내릴 수 있다.
제안 방법
Thermal CVD 공정으로 성장 및 열처리된 산화주석 나노구조물의 보다 정확한 결정학적 특성을 분석하기 위하여 XRD 분석을 시행하였고, XRD 분석결과를 JCPDS Card의 회절패턴과 비교하여, 성장 및 열처리된 나노구조물의 결정학적 구조를 확인하였다. Fig 4(a)는 성장된 SnO 나노구조물이 Tetragonal 구조를 가지고 있다는 것을 보여준다.
본 연구에서는 Thermal CVD를 이용하여 Vapor Transport Method로 체적 대비 높은 표면적을 갖는 독특한 구조의 SnO 나노구조물을 Si 웨이퍼 위에 직접성장 시킨 후, 산소분위기에서 후열처리를 진행하여 SnO2로의 상변화를 유도하였으며, 열처리 전후의 결정학적 특성에 대하여 조사하였다.
성능/효과
둘째, 열처리를 진행한 830℃, 1030℃ 두 경우 모두 미량의 Sn3O4 Phase가 존재하는 것으로 보이며, 이것은 SnO의 분해 및 산화과정 중에 반응이 완결되지 못하고 남겨진 잔해이다.
셋째, 고온에서 열처리를 진행하여 SnO2로 상변환 된 나노구조물의 일부가 기화되어 시료의 두께가 얇아지며, 1000℃에서 열처리를 할 경우 나노구조물의 일부가 기화되어 전체적인 나노구조물의 Size가 작아진 것으로 보인다. 하지만 완벽하게 Tetragonal 구조의 SnO2 나노구조물로 상변환되는 것을 확인 할 수 있다.
첫째, SnO 나노구조물의 경우, Si 기판 위에서 높은 표면적을 갖는 Nanoplatelets 형태로 성장되었으며, Raman Spectroscopy 분석결과 Si 기판의 Peak이 약하게 검출된 것으로부터 합성된 박막의 두께가 충분히 두껍게 성장된 것을 알 수 있다.
질의응답
핵심어
질문
논문에서 추출한 답변
이산화주석이란 무엇인가?
이산화주석(SnO2)은 상온에서 Rutile 결정구조를 갖는 반도체 물질로서 산소공공 결함(Oxygen-Vacancy Defect)의 n-type 반도체 물질로 알려져 있다. 이러한 결함(Defect)을 가지는 특성 때문에 SnO2는 가스 분자가 표면에 흡착되면 저항이 변하는 성질을 이용하여 N2, H2, CO 등의 가스를 감지할 수 있다[1, 2].
가스 센서를 제작하는 전통적인 방법은 무엇인가?
이러한 결함(Defect)을 가지는 특성 때문에 SnO2는 가스 분자가 표면에 흡착되면 저항이 변하는 성질을 이용하여 N2, H2, CO 등의 가스를 감지할 수 있다[1, 2]. 가스 센서를 제작하는 전통적인 방법은 RF Reactive Magnetron Sputtering을 이용하여 SnO2를 박막(Thin Film)의 형태로 제작하는 것이다. 하지만 나노기술의 발달과 더불어서 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 30-400 nm의 직경을 갖는 Wire 형태의 SnO2 나노 구조물을 성장시키면, 체적 대비 높은 표면적을 갖는 SnO2 나노구조물의 구조적 특징으로 인하여 가스 센서의 감도가 향상되는 것이 보고되었다[3, 4].
본 연구에서는 유해가스 환경모니터링에 적용 될 수 있는 소재인 산화주석을 Thermal CVD를 이용하여 직접성장 및 열처리의 효과를 분석하는 연구를 진행하였다, 이를 통해 얻은 결론은 무엇인가?
첫째, SnO 나노구조물의 경우, Si 기판 위에서 높은 표면적을 갖는 Nanoplatelets 형태로 성장되었으며, Raman Spectroscopy 분석결과 Si 기판의 Peak이 약하게 검출된 것으로부터 합성된 박막의 두께가 충분히 두껍게 성장된 것을 알 수 있다.
둘째, 열처리를 진행한 830℃, 1030℃ 두 경우 모두 미량의 Sn3O4 Phase가 존재하는 것으로 보이며, 이것은 SnO의 분해 및 산화과정 중에 반응이 완결되지 못하고 남겨진 잔해이다.
셋째, 고온에서 열처리를 진행하여 SnO2로 상변환 된 나노구조물의 일부가 기화되어 시료의 두께가 얇아지며, 1000℃에서 열처리를 할 경우 나노구조물의 일부가 기화되어 전체적인 나노구조물의 Size가 작아진 것으로 보인다. 하지만 완벽하게 Tetragonal 구조의 SnO2 나노구조물로 상변환되는 것을 확인 할 수 있다.
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