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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.23 no.1, 2019년, pp.326 - 329
김형탁 (School of Electronics and Electrical Engineering, Hongik University)
Gallium nitride(GaN) has been a superior candidate for the next generation power electronics. As GaN-on-Si substrate technology is mature, there has been new demand for monolithic integration of GaN technology with Si CMOS devices. In this work, (110)Si CMOS process was developed and the fabricated ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Si(100) 기판의 문제점은 무엇인가? | 그러나 Si (111) 웨이퍼는 전기적 특성이 좋지 않아 오늘날의CMOS 제조에는 사용되지 않으므로 GaN-on-Si (111) 웨이퍼에서 CMOS IC와 GaN 디바이스 간의 단일기판 집적화(monolithic integration)를 달성하기가 어렵다. Si(100) 기판은 CMOS 산업에서 중요한 재료이지만, Si(100) 기판상의 GaN 성장은 일반적으로 다결정 구조 또는 원자 배열의 어려움으로 인해 많은 입자로 구성된 거친 표면을 초래한다[2][3]. 반면 Si(110) 기판은 높은 정공 이동도를 활용할 수 있어 CMOS 제조에 제한적으로 사용되어왔다[4]. | |
Si(111) 기판의 문제점은 무엇인가? | 상용 GaN-on-Si 웨이퍼는 다른 방향과 비교하여 AlN seed 층과의 보다 나은 원자 배열 때문에 Si(111) 기판이 사용되어 왔다[1]. 그러나 Si (111) 웨이퍼는 전기적 특성이 좋지 않아 오늘날의CMOS 제조에는 사용되지 않으므로 GaN-on-Si (111) 웨이퍼에서 CMOS IC와 GaN 디바이스 간의 단일기판 집적화(monolithic integration)를 달성하기가 어렵다. Si(100) 기판은 CMOS 산업에서 중요한 재료이지만, Si(100) 기판상의 GaN 성장은 일반적으로 다결정 구조 또는 원자 배열의 어려움으로 인해 많은 입자로 구성된 거친 표면을 초래한다[2][3]. | |
상용 GaN-on-Si 웨이퍼에 사용되는 기판은 무엇인가? | GaN-on-Si 기판은 전력 스위칭 시장을 점유하고 있는 Si 기반 소자기술과의 원가 경쟁력 확보 관점에서 반드시 필요한 기술이다. 상용 GaN-on-Si 웨이퍼는 다른 방향과 비교하여 AlN seed 층과의 보다 나은 원자 배열 때문에 Si(111) 기판이 사용되어 왔다[1]. 그러나 Si (111) 웨이퍼는 전기적 특성이 좋지 않아 오늘날의CMOS 제조에는 사용되지 않으므로 GaN-on-Si (111) 웨이퍼에서 CMOS IC와 GaN 디바이스 간의 단일기판 집적화(monolithic integration)를 달성하기가 어렵다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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