4M D램 공동연구 개발사업(1986.10~89.03)은 당시 미 일의 강력한 기술보호주의를 극복하기 위한 자구책으로 시작되었다. 국내 반도체업계는 선진국의 높은 기술장벽 및 기술보호주의를 극복하고, 강력한 경쟁력확보 및 기술축적을 위해 정부에 건의하였다. 이에 정부는 적극적인 자금지원을 통해 4M D램 개발 및 주변기술 개발을 목표로 초고집적반도체기술공동개발사업을 수행하게 되었다. 본 공동R&D사업은 ETRI의 주관으로 당시 금성반도체, 삼성전자, 현대전자산업 등의 반도체 업체와 학계가 참여하였고, 1986년 10월부터 1989년 3월까지 3단계에 걸쳐 수행되었다. 공동연구의 목적은 설계, 공정, 조립, 검사 등 4M D램 제조와 관련되는 기본기술개발과 함께 $0.8{\mu}m$ 선폭의 4M D램을 개발하는 것이며, 이를 위해 단계별 목표를 설정하고 관민연의 혼연일치로 추진되었다. 1차년에는 중요 핵심기술개발, 2차년에는 $0.8{\mu}m$ 4M D램 Working-die개발, 3차년에는 수율 20%의 $0.8{\mu}m$ 4M D램 양산시 제품을 목표대로 완료하였다. 각 연구단계별로 주요 핵심기술에 대한 연구평가가 실시되었으며, 관련기술에 대한 중복투자 방지를 위해 2차년도부터 분담연구가 수행되었고, 상호 기술공유를 위한 기술교류회가 활발히 이루어졌다. 또한 R&D수행을 통해 4M D램 Working-die를 2차년도 중반에 개발완료하였으며, 3차년도에는 4M D램의 20% 수율확보와 공정기술의 최적화 및 DB 구축을 수행했다. 공동R&D 방식에서도 기업간 경쟁체제 도입에 입각하여 동기유발 형태로 진행되었다. 정부는 자금적 지원으로 기업간의 경쟁 심리를 자극하는 전략을 추진했다. 선두기업인 삼성에게는 선행적 개발 지위에 비례하여 더 많은 지원을 부여하는 대신에, 삼성의 기술성과를 다른 기업에게로 확산시킴으로써 반도체 3사 전체의 기술능력을 향상시키는 전략을 추진했다. 본 사업이 성공적으로 수행되어 반도체 제품의 세계시장 점유율제고, 국제수지 개선, 반도체 핵심기술 조기확보뿐만 아니라 16M D램급 이상 차세대 반도체기술 개발의 교도보가 되었다.