$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Abstract

Thin film transistors (TFTs) with large-area, high mobility, and high reliability are important factors for next-generation displays. In particular, thin transistors based on IGZO oxide semiconductors are being actively researched for this application. In this study, several methods for improving the reliability of a-IGZO TFTs by applying various materials on a passivation layer are investigated. In the literature, inorganic SiO2, TiO2, Al2O3, ZTSO, and organic CYTOP have been used for passivation. In the case of Al2O3, excellent stability is exhibited compared to the non-passivation TFT under the conditions of negative bias illumination stress (NBIS) for 3 wavelengths (R, G, B). When CYTOP passivation, SiO2 passivation, and non-passivation devices were compared under the same positive bias temperature stress (PBTS), the Vth shifts were 2.8 V, 3.3 V, and 4.5 V, respectively. The Vth shifts of TiO2 passivation and non-passivation devices under the same NBTS were -2.2 V and -3.8 V, respectively. It is expected that the presented results will form the basis for further research to improve the reliability of a-IGZO TFT.

본문요약 

문제 정의(1)
  • 현재 연구 및 산업에서 가장 많이 사용되고 있는 a-IGZO 산화물 반도체의 bias stress 조건과 더불어 다양한 환경적 요소에 의하여 소자의 특성이 변하게 되는 다양한 원인을 확인하고 이를 해결하기 위해 passivation 측면에 초점을 맞춰 진행된 많은 연구들을 정리해 보았다.

    현재 연구 및 산업에서 가장 많이 사용되고 있는 a-IGZO 산화물 반도체의 bias stress 조건과 더불어 다양한 환경적 요소에 의하여 소자의 특성이 변하게 되는 다양한 원인을 확인하고 이를 해결하기 위해 passivation 측면에 초점을 맞춰 진행된 많은 연구들을 정리해 보았다. 사용된 물질로는 SiO2, Al2O3, TiO2의 무기물과 CYTOP의 유기물이 passivation 물질로써 사용되었다.

본문요약 정보가 도움이 되었나요?

질의응답 

키워드에 따른 질의응답 제공
핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
비정질 폴리머
비정질 폴리머는?
고도의 발수 성과 발 유성, 내 화학성을 가진 투명한 절연체로서 플렉서블 디스플레이용으로 이용

에 의한 유기 전계 효과 트렌지스터의 게이트 유전체로 사용되었다. 이 비정질 폴리머는 고도의 발수 성과 발 유성, 내 화학성을 가진 투명한 절연체로서 플렉서블 디스플레이용으로 이용할 수 있었다 [16,17]. a-IGZO TFT의 전기적 특성은 채널층의 후면으로부터 쉽게 영향을 받을 수 있는데, 극성이 낮은 유기 절연체는 외부 환경과 산화물 표면 간의 상호작용을 억제하여 균일한 비극성 및 결함이 없는 후면 인터페이스 영역을 제공할 수 있다 [14,15].

TFT 소재
현재 주로 사용되는 TFT 소재의 장단점은?
대형화 및 저비용은 가능하지만, 낮은 이동 도로 인해 고해상도 및 고속 구동용 소자로서는 적합하지 않으며, 폴리 실리콘(poly-Si) TFT 의 경우 이동 도는 높으나 ELA 공정 등이 추가되어 공정이 복잡하고 고비용의 도핑 공정이 필요한 단점이 있다.

이러한 OLED 구현을 위하여 디스플레이 백 플레인 용 구동 소자인 TFT 소재 개발이 필수적이다. 현재까지 널리 이용 중인 비 정질 실리콘(a-Si) TFT의 경우 대형화 및 저비용은 가능하지만, 낮은 이동 도로 인해 고해상도 및 고속 구동용 소자로서는 적합하지 않으며, 폴리 실리콘(poly-Si) TFT 의 경우 이동 도는 높으나 ELA 공정 등이 추가되어 공정이 복잡하고 고비용의 도핑 공정이 필요한 단점이 있다. 이에 비해 산화물 반도체를 채널 층으로 사용하는 연구가 활발히 진행 중이다.

산화물 반도체
산화물 반도체의 장점은?
가장 큰 이점은 낮은 온도에서 다양한 Passivation 물질에 따른 IGZO TFT Stability 개선 방법의 박막 형성과 화합물임에도 불구하고 매우 부드러운 표면과 비 정질 물질이기 때문에 전기적 특성이 분자의 배열을 따르지 않아 전기적 특성 또한 우수한 편이다.

산화물 반도체는 결정 질 실리콘보다는 연구된 기간이 짧지만, 단기간에 반도체 물질을 새로운 영역의 문을 열 수 있을 만큼의 우수한 전기적 특성을 보여주며, 디스플레이 핵심 소자인 박막 트랜지스터에 사용이 가능한 물질로 촉망받고 있다. 이러한 산화물 반도체의 가장 큰 이점은 낮은 온도에서 다양한 Passivation 물질에 따른 IGZO TFT Stability 개선 방법의 박막 형성과 화합물임에도 불구하고 매우 부드러운 표면과 비 정질 물질이기 때문에 전기적 특성이 분자의 배열을 따르지 않아 전기적 특성 또한 우수한 편이다. 이러한 산화물 반도체의 채널 층 후면은 산화물 TFT의 신뢰성에 영향을 미치는 것으로 알려져 있는데, 이는 공기 중 습도와의 반응으로 인해 전도 경로가 형성되기 때문이다.

질의응답 정보가 도움이 되었나요?

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

문의하기 

궁금한 사항이나 기타 의견이 있으시면 남겨주세요.

Q&A 등록

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

이 논문과 연관된 기능

이 논문 조회수 및 차트

  • 상단의 제목을 클릭 시 조회수 및 차트가 조회됩니다.

DOI 인용 스타일

"" 핵심어 질의응답