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논문 상세정보

IZO 박막 트랜지스터의 UV를 이용한 후열처리 조사 시간에 따른 전기적 특성 평가

Evaluation of Electrical Properties of IZO Thin-Film with UV Post-Annealing Treatment Time

Abstract

We investigated the effect of a post-annealing process using ultraviolet (UV) light on the electrical properties of solution-processed InZnO (IZO) thin-film transistors (TFTs). UV light was irradiated on IZO TFTs for different time periods of 0s, 30s, and 90s. We measured transfer and retention stability curves to evaluate the performance of the fabricated TFTs. In addition, we measured height, amplitude, and phase AFM images to analyze changes in the surface and morphology of the devices. AFM measurements were performed by setting the drive amplitude of the cantilever tip to 47.9 mV in tapping mode, then dividing the device surface into 500 nm × 500 nm. In the case of IZO TFT irradiated with UV for 30s, the electron mobility and Ion/Ioff ratio were improved, the threshold voltage was reduced by approximately 2 V, and the subthreshold swing also decreased form 1.34 V/dec to 1.11 V/dec.

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