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E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.33 no.3, 2020년, pp.6 - 17
이동원 (한국산업기술시험원 재료기술센터)
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 산화알루미늄이 일반적인 금속이나 플라스틱에 비해 안정성이 높은 이유는? | 산화알루미늄은 값이 싸서 실용적일 뿐만 아 니라 거의 불활성 상태로 존재하기 때문에 일반적인 금속이나 플라스틱에 비해 물리적, 화학적, 기계적 및 열적으로 높은 안정성을 가지고 있다. 또한 산화알루미늄은 고온에서 소성되면 커런덤형 구조를 가진 α산화알루미늄상 으로 최종 변화되나 여러 준안정상이 존재하는 것으로 알려져 있다 [4-6]. | |
| 베이어법은 어떠한 과정으로 구성되어 있는가? | 산화알루미늄 분말원료를 제조하기 위한 방법으로 현재 Bauxite를 원료로 하는 베이어 (Bayer)법이 상용화되어 있다 [7-9]. 베이어법은 알루미늄 용출과정, 레드 머드 분리과정, 수산화알루미늄 결정화과정, 소성과정으로 구성되어 있다. 베이어법으로 생산된 알루미나의 순도는 대략 99. | |
| 일축압축 성형법에 존재하는 문제점은? | 일축압축 성형법은 2개의 펀치 사이에 배치된 분말을 성형하는 전통적인 기술이다. 하지만 성형 중 몰드 내벽과 분말 간 마찰의 문제점과 성형체의 위치에 따른 압력 분포의 불균 형 문제가 발생하게 되며, 이로 인하여 성형밀도(green density)의 불균형이 성형체 내에서 존재하게 되어 crack이 발생하고 springback으로 인한 결함의 원인이 된다. 냉간 등압성형은 등방 압축 성형방법 중 하나이며 성형 몰드 안에서 정수압을 가하면 성형체 모든 표면에 압력이 균일하게 가해지도록 하는 성형방법이며, 등압성형에 비하여 최대인가 압력을 증가시켜 성형밀도를 높일 수 있으며 또한, 압축 불균형을 현저하게 낮출 수 있는 장점을 가지고 있다. |
J. Lee, C. L. Lee, K. P, and I. D. Kim, J. Power Sources , 248, 1211 (2014).
D. W. Lee, S. H. Lee, Y. N. Kim, and J. M. Oh, Powder Technology, 320, 125 (2017).
A. Shamshad, T. Chao, W. Muhammad, L. Weiqiang, W. Zhaohuan, W. Songhao, B. Bismark, L. Jingna, A. Junaid, X. Jie, G. J. B, and H. Weidong, Adv. Materials, 5, 1701147 (2018).
S. F. Wang, X. Xiang, Q. P Ding, X. L,Gao, C. M. Liu, Z. j. Li, and X. T Zu, Ceramics International , 39, 2943 (2013).
M. Tahmasebpour, A. Babaluo, S. Shafiei, and E. Pipelzadeh, Powder Technology, 191, 91 (2009).
J. S. Si and M. S. Lee, J. Korean Inst. of Resources Recycling , 28, 15 (2019).
S. A. Halawy, M. A. Johamed, and M. I. Zaki, J. Chem, Technol. Biotechnol, 72, 320 (1998).
A. R. Hind, S. K. Bharava, and S. C. Grocott, Colloid and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, 146, 359 (1999).
Y. Liu, C. Lin, and Y. Wu, J. Hazardous Materials, 146, 255 (2007).
N. K. Park, H. Y. Choi, D. H. Kim, T. J. Lee, M. Kang, W. G. Lee, H. D. Kim, and J. W. Park, J. Crystal Growth, 373, 88 (2013).
J. S. Chung and W. K. Park, J. Korean Ceram. Soc. , 35, 953 (1998).
B.E. Yoldas, J. Applied Chemistry and Engineering B, 52, 145 (1973).
H. N. Paik, M. K. Lee, C. H. Kwak, and T. S. Suh, J. Korean Ceramic Society, 26, 445 (1989).
J. H. Choy, J. S. Yoo, J. T. Kim, C. K. Lee, and N. H. Lee, J. Korean Ceram. Soc., 35, 422 (1991).
M. Mofazzal Hossain, Yaochun Yao, Takayuki Watanabe, Fuji Funabiki, and Tetsuji Yano, Chem. Eng. J, 150, 561 (2009).
J. T. Feng, Y. J. Lin, F. Li, D. G. Evans, and D. Q. Li, Appl. Catal. Z, 329, 112 (2007).
T. Hyodo, M. Murakami, Y. Shimizu, and M. Egashira, J. Eur. Ceram. Soc, 25, 3563 (2005).
S. Kumar, V. Selvarajan, P. V. A. Padmanabhan, and K. P. Sreekumar, J. Mater. Process. Technol, 176, 87 (2006).
ISO 홈페이지 (www.iso.org)
소재기술백서 2011
S. van der Gijp, J. E. ten Elshof, O. Steigelmann, and H. Verweij, J. Am. Ceram. Soc. , 83, 2610 (2000).
H. L. Marcus and M. E. Fine, J. Am. Ceram. Soc., 55, 568 (1972).
M. L. Gall, A. M. Huntz, B. Lesage, C. Monty, and J. Bernardini, J. Mater. Sci., 30, 201 (1995).
J. Sun, L. Gao, and W. Li, Chem, Mater. 14, 5169 (2002).
D. Chakravarty, S. Bysakh, K. Muraleedharan, T. N. Rao, and R. Sundaresan, J. Am. Ceram. Soc. , 91, 203 (2008).
I. Ahmad, H. Cao, H. Chen, H. Zhao, A. Kennedy, and Y. Q. Zhu, J. Eur. Ceram. Soc., 30, 865 (2010).
L. Gao, H. Z. Wang, J. S. Hong, H. Miyamoto, K. Miyamoto, Y. Nishikawa, and S. D. D. L. Torre, J. Eur. Ceram. Soc., 19, 609 (1999).
Z. Shen, M. Johnsson, Z. Zhao, and M. Nygren, J. Am. Ceram. Soc., 85, 1921 (2002).
K. Wang, Y. F. Wang, Z. J. Fan, J. Yan, and T. Wei, Mater. Res. Bull. 46, 315 (2011).
J. D. Kuntz, G. D. Zhan, and A. K. Mukherjee, Appl. Phys. Lett, 83, 1228, (2003).
C.C. Anya, J. Mater. Sci., 34, 5557 (1999).
Y. K. Jeong, A. Nakahira, and K. Niihara: J. Am. Ceram. Soc., 82. 3609 (1999).
S. Gustafsson, L. K. L. Falk, E. Liden, and E.C arlstrom: Ceram. Int., 34, 1609 (2008).
J. H. Park, W. Park, J. H. Kim, D. Ryoo, H. S. Kim, Y. U. Jeong, D. W. Kim, and S. Y. Lee, J. Power Sources, 196, 7035 (2011).
K. J. Kim, J. H. Kim, M. S. Park, H. K. Kwon, H. Kim, and Y. J. Kim, J. Power Sources, 198, 298 (2012).
C. Shi, P. Zhang, L. Chen, P. Yang, and J. Zhao, J. Power Sources, 270, 547 (2014).
Z. Zhang, Y. Lai, Z. Zhang, K. Zhang, and J. Li, Electrochimica Acta, 129, 55 (2014).
S. J. Gwon, J. H. Choi, J. Y. Sohn, S. J. An, Y. E. Ihm, and Y. C. Nho, Nuclear Instruments and Methods inPhysics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms , 266, 3387 (2008).
J. Akedo, J. Am. Ceram. Soc., 89, 1834 (2006).
J. Akedo, J. Therm. Spray Technol. , 17, 181 (2008).
D. M. Chun and S. H. Ahn, Acta Mater. , 59, 2693 (2011).
D. W. Lee, H. J. Kim, Y. H. Kim, Y. H. Yun, and S. M. Nam, J. Am. Ceram. Soc., 94, 3138 (2011).
C. W. Kim, J. H. Choi, H. J. Kim, D. W. Lee, C. Y. Hyun, and S. M. Nam, Ceramics International , 38, 5621 (2012).
M. Y. Cho, S. J. Park, S. M. Kim, D. W. Lee, H. K. Kim, S. M. Koo, K. S. Noon, and J. M. Oh, Ceramics International, 44, 16548 (2018).
M. Y. Cho, D. W. Lee, I. S. Kim, W. J. Kim, S. M. Koo, D. Lee, Y. H. Kim, and J. M. Oh, Ceramics International, 45, 6702 (2019).
M. Y. Cho, D. W. Lee, P. J. Ko, S. M. Koo, J. Kim, Y. K. Choi, and J. M. Oh, Electronic Materials Letters, 15, 227 (2019).
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