최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.4, 2020년, pp.281 - 285
김지원 (한국항공대학교 항공전자정보공학부) , 박기찬 (건국대학교 전자공학부) , 김용상 (성균관대학교 전자전기공학부) , 전재홍 (한국항공대학교 항공전자정보공학부)
Oxide semiconductor devices have become increasingly important because of their high mobility and good uniformity. The channel length of oxide semiconductor thin film transistors (TFTs) also shrinks as the display resolution increases. It is well known that reducing the channel length of a TFT is de...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
유효 채널 길이가 짧아지게 되면 어떤 문제를 만드는가? | TFT의 채널 길이가 짧아지면 드레인 전압 증가에 따른 유효 채널 길이도 짧아지게 되면서 전류 포화 전압 이상에서 전류가 증가하는 현상이 나타난다. 이 현상은 OLED 디스플레이에서 구동 전류가 안정적 으로 조절되기 어렵게 하며, 디스플레이 구동을 불안정 하게 만든다 [4]. 소자의 소형화로 인해 발생하는 문제를 개선시키기 위해 새로운 소자 구조에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. | |
산화물 반도체의 특징은? | 디스플레이 백플레인에 중요한 역할을 하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)도 기존 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si)과 다결정 실리콘 (polycrystalline silicon, poly-Si)의 단점을 보완한 산화물(oxide) TFT의 연구가 진행되고 있다 [1,2]. 산화물 반도체는 비정질 실리콘보다 높은 이동도와 안정성 측면에서 뛰어나고, 다결정 실리콘보다 저렴하고 우수한 균일도 특성을 가지고 있어 차세대 디스플레이 백플레인에 적합한 물질로 개발되고 있다 [3]. 전류 구동 방식인 OLED 디스플레이에서 구동 TFT는 일정한 전류를 유지해야 하므로 전류 포화(current saturation) 가 잘 되는지에 대한 여부가 중요하다. | |
더블 게이트 구조의 장점은? | 소자의 소형화로 인해 발생하는 문제를 개선시키기 위해 새로운 소자 구조에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그중 더블 게이트 구조는 상부, 하부 게이트를 이용하여 채널을 제어하며 단일 게이트 구조의 소자보다 동작 전류를 증가시키고 이동도가 높다는 장점을 가지고 있다 [5-8]. 그러나 소자 구조에 있어서 게이트 전극이 한 개 더 추가되어야 하기 때문에 전극을 형성하기 위한 금속막 증착 공정, 포토리소 그래피 공정 그리고 식각 공정이 1회씩 추가되어야 하는 단점도 있다. |
E. Fortunato, Adv. Mater., 24, 2945 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201103228]
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004). [DOI: https://doi.org/10.1038/nature03090]
T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono, J. Disp. Technol., 5, 273 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1109/JDT.2009.2021582]
S. Jeon, A . Benayad, S . E. A hn, S. P ark, I . Song , C. K im, and U. I. Chung, Appl. Phys. Lett., 99, 082104 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3623426]
K. S. Son, J. S. Jung, K. H. Lee, T. S. Kim, J. S. Park, Y. H. Choi, K. C. Park, J. Y. Kwon, B. Koo, and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett., 31, 219 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2009.2038805]
K. Abe, K. Takahashi, A. Sato, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, J. Kanicki, and H. Hosono, IEEE Trans. Electron Devices, 59, 1928 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2012.2195008]
H. Lim, H. Yin, J. S. Park, I. Song, C. Kim, J. C. Park, S. Kim, S. W. Kim, C. B. Lee, Y. C. Kim, Y. S. Park, and D. Kang, Appl. Phys. Lett., 93, 063505 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.2967456]
K. S. Son, J. S. Jung, K. H. Lee, T. S. Kim, J. S. Park, K. C. Park, J. Y. Kwon, B. Koo, and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett., 31, 812 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2010.2050294]
C. H. Wu, H. H. Hsieh, C. W. Chien, and C. C. Wu, J. Disp. Technol., 5, 515 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1109/JDT.2009.2026189]
G. Baek, K. Abe, A. Kuo, H. Kumomi, and J. Kanicki, IEEE Trans. Electron Devices, 58, 4344 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1109/TED.2011.2168528]
D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices, 4th ed. (McGraw-Hill, 2012) p. 457.
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.