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산화물 TFT 기술 동향 원문보기

인포메이션 디스플레이 = Information display, v.21 no.4, 2020년, pp.3 - 13  

황치선 (한국전자통신연구원 ICT창의연구소 실감소자원천연구본부) ,  조성행 (한국전자통신연구원 ICT창의연구소 실감소자원천연구본부)

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문제 정의

  • 본고에서는 이러한 산화물 TFT의 기술 동향을 살펴보고 특히 , 디스플레이 이외의 분야에서 산화물 TFT의 발전 가능성에 대해서도 알아보기로 한다.
  • 스마트워치는 웨어러블 기기 중 가장 성공적으로 상용화된 제품 중의 하나인데, 문제점으로 지적되었던 부분은 잦은 충전 주기 였다. 이를 극복하기 위해서는 소비전력을 줄여야 하는데 , 애플워치에서 소비전력을 크게 차지하는 디스플레이 패널 부분에서 구동 전력을 줄이고자 하였다. 그 결과 줄어든 배터리 사용량을 활용하여 AOD (always on display)를 애플워치에서 구현하였다.
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참고문헌 (41)

  1. H. -S. Kim, S. H. Jeon, J. S. Park, T. S. Kim, K. S. Son, J. -B. Seon, S. J. Seo, S. -J. Kim, E. Lee, J. G. Chung, H. Lee, S. Han, M. Ryu, S. Y. Lee, and K. Kim, Sci. Rep. 3, 1459 (2013). 

  2. Z. Lin, L. Lan, P. Xiao, S. Sun, Y. Li, W. Song, P. Gao, E. Song, P. Zhang, L. Wang, H. Ning, and H. Peng, IEEE Electron Device Lett. 37, 1139 (2016). 

  3. M. Mativenga, S. An, and J. Jin, IEEE Electron Device Lett. 34, 1533 (2013). 

  4. S. Lee, Y. Chen, J. Kim, H. Kim, and J. Jang, J. Soc. Inf. Display. 27, 507 (2019). 

  5. Y. Shin, S. T. Kim, K. Kim, M. Y. Kim, S. Ohand J. K. Jeong, Sci. Rep. 7, 1 (2017). 

  6. J. Sheng, T. Hong, H. -M. Lee, K. Kim, M. Sasase, J. Kim, H. Hosono, and J. -S. Park, ACS Appl. Mater. Interface. 11, 40300 (2019). 

  7. I. Song, S. Kim, H. Yin, C. J. Kim, J. Park, S. Kim, H. S. Choi, E. Lee, and Y. Park, IEEE Electron Device Lett. 29, 549 2008). 

  8. T. Ohmaru, S. Yoneda, T. Nishijima, M. Endo, H. Dembo, M. Fujita, H. Kobayashi, K. Ohshima, T. Atsuni, Y. Shionoiri, K. Kato, Y. Maehashi, J. Koyama, and S. Yamazaki, Proc. SSDM, 1144 (2012). 

  9. S. Jeon, S. Park, I. Song, J. -H. Hur, J. Park, H. Kim, S. Kim, S. Kim, H. Yin, U. -I. Chung, E. Lee, and C. Kim, ACS Applied Materials & interface, 5, 1, (2011). 

  10. S. Li, M. Tian, Q. Gao, M. Wang, T. Li, Q. HU, X. Li, and Y. Wu, Nat. Mater. 18, 1091 (2019). 

  11. S. Katsui, H. Kobayashi, T. Nakagawa, Y. Tamatsukuri, H. Shishido, S. Uesaka, R. Yamaoka, T. Nagata, T. Aoyama, K. Nei, Y. Okazaki, T. Ikeda, and S. Yamazaki, Proc. SID. 311 (2019). 

  12. J. H. Choi, J. -H. Yang, J. -E. Pi, C. -Y. Hwang, Y. -H. Kim, G. H. Kim, H.-O. Kim, and C. -S. Hwang, J. Soc. Inf. Display. 50, 319 (2019). 

  13. C. -S. Hwang, S. -H. Ko, Park, H. Oh, M. -K. Ryu, K. -I. Cho, and S. -M. Yoon, IEEE Electron Device Lett. 35, 360 (2014). 

  14. H. -I. Yeom, G. Mun, Y. Nam, J. -B. Ko, S. -H. Lee, J. Choe, J. H. Choi, C. -S. Hwang, and S. -H. Ko Park, Proc. SID, 820 (2016). 

  15. H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi, H. Hosono, Nature 389, 939 (1997). 

  16. E. Fortunato, P. Barquinha, R. Martins, Adv. Mater. 24, 2945 (2012). 

  17. X. Zou, G. Fang, L. Yuan, M. Li, W. Guan, X. Zhao, IEEE Electron Dev. Lett. 31, 827 (2010). 

  18. J. A. Caraveo-Frescas, P. K. Nayak, H. A. Al-Jawhari, D. B. Granato, U. ShwingenSchlogl, H. N. Alshareef, ACS Nano 7, 5160 (2013). 

  19. Z. Wang, P. K. Nayak, J. A. Caraveo-Frescas, H. N. Alshareef, Adv. Mater. 28, 3831 (2016) 

  20. 백승기, 조성운, 조형균, Ceramist 17, 47 (2014). 

  21. T. Kim, B. Yoo, Y. Youn, M. Lee, A. Song, K. -B. Chung, S. Han, J. K. Jeong, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 20214 (2019). 

  22. T. Lin, X. Li, J. Jang, Appl. Phys. Lett. 108, 233503 (2016). 

  23. J. W. Park, B. H. Kang, H. J. Kim, Adv. Funct. Mater. 30, 1904632 (2020). 

  24. J. -H. Lee, W. -H. Choi, T. Hong, M. J. Kim, J. -S. Park, J. Vac. Sci. Technol. A 36, 060801 (2019). 

  25. G. Hautier, A. Miglio, G. Cede, G. -M. Rignanese, X. Gonze, Nat. Commun. 4, 2292, (2013). 

  26. K. Yim, Y. Youn, M. Lee, D. Yoo, S. H. Cho, S. Han, NPJ Comput. Mater. 4, 17 (2018). 

  27. C. G. Van de Walle, J. Neugebauer, Nature, 423, 626 (2003). 

  28. D. Kumar, T. C. Gomes, N. Alves, L. Fugikawa-Santos, G. C. Smith and J. Kettle, IEEE Sens J. 20, 7532 (2020) 

  29. S. Jeon, S. -E. Ahn, I. Song, C. J. Kim, -I. Chung, E. Lee, I. Yoo, A. Nathan, S. Lee, K. Ghaffarzadeh, J. Robertson, and K. Kim, Nat. Mat. 11, 301 (2012). 

  30. M. T. Vijjapu, S. G. Surya, S. Yuvaraja, X. Zhang, H. N. Alshareef, and K. N. Salama, ACS Sens. 5, 984 (2020). 

  31. D. Geng, S. Han, H. Seo, M. Mativenga, and J. Jang, IEEE Sens. J. 17, 585 (2017). 

  32. K. Ito, H. Satake, Y. Mori, A. C. Tseng and T. Sakata, Sci. Technol. Adv. Mater. 20, 917 (2019). 

  33. T. Zou, C. Chen, B. Xiang, Y. Wang, C. Lin, S. Zhang, and H. Zhou, Proc. IEDM. 174 (2019). 

  34. W. Seo. J. -E. Pi, S. H. Cho, S. -Y. Kang, S. -D. Ahn, C. -S. Hwang, H. -S. Jeon, J. -U. Kim, and. M. Lee, Sensors, 18, 293 (2018). 

  35. N. Duan, Y. Li, H. -C. Chiang, J. Chen, W. -Q. Pan, Y. -X. Zhou, Y. -C. Chien, Y. -H. He, K. -H. Xue, G. Liu, T. -C. Chang, and X. -S. Miao, Nanoscale, 11, 17590 (2019). 

  36. P. B. Pillai and M. M. De Souza, ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 1609 (2017). 

  37. Y. -M. Kim, E. -J. Kim, W. -H. Lee, J. -Y. Oh and S. -M. Yoon, RSC Adv. 6, 52913 (2016). 

  38. R. A. John, J. Ko, M. R. Kulkarni, N. Tiwari, N. A. Chien, N. G. Ing, W. L. Leong, and N. Mathews, Small 13, 1701193 (2017). 

  39. J. Wang, Y. Li, C. Yin, Y. Yang, and T. -L. Ren, IEEE Electron Device Lett. 38, 191 (2017). 

  40. T. K. Chang, C. -W. Lin, and S. Chang, Proc. SID 545 (2019). 

  41. K. Kaneko, N. Inoue, S. Saito, N. Furutake, and Y. Hayashi, Symposium on VLSI Technology Digest, 120 (2011). 

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