[논문]ECR plasma etching of GaAs in CCl2F2/Ar/O2 discharge and IR studies of the etched surface

Singh, L.S.S.; Tiwary, K.P.; Purohit, R.K.; Zaidi, Z.H.; Husain, M.

doi:10.1016/j.cap.2004.04.002

ECR plasma etching of GaAs in CCl2F2/Ar/O2 discharge and IR studies of the etched surface

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.5 no.4, 2005년, pp.351 - 355

Singh, L.S.S. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India) , Tiwary, K.P. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India) , Purohit, R.K. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India) , Zaidi, Z.H. (M.J.P. Rohilkhand University, Bareilly, Uttar Pradesh, India) , Husain, M. (Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe etching of GaAs materials under electron cyclotron resonance conditions has been performed in an ECR etching system with rf biasing using the CCl2F2/Ar/O2 plasma chemistry. Etching experiments were carried out at a pressure between 0.015 and 0.020 mbar, rf power 0.39 W/cm2, and dc bias voltage 200 V. The surface morphology and etch depth were taken by scanning electron microscopy and Dektek Profilometry respectively. The use of ECR conditions with additional rf biasing provides the good etching of the surface and fast etch rates. Moreover, the surface of the GaAs material display smooth and stoichiometric surfaces at higher ECR powers. The surface damages on the GaAs samples after the plasma exposure have been studied using IR spectroscopy.

주제어

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

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용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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