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Effect of fabrication conditions on I–V properties for ZnO varistor with high concentration additives by sol–gel technique

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.5 no.4, 2005년, pp.381 - 386  

Zhang, Jincang (Department of Physics, Center of Nano-Science and Technology of Shanghai University, Shangda Road 99, Shanghai 200436, PR China) ,  Cao, Shixun (Department of Physics, Center of Nano-Science and Technology of Shanghai University, Shangda Road 99, Shanghai 200436, PR China) ,  Zhang, Ruiying (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science, Beijing 100084, PR China) ,  Yu, Liming (Department of Physics, Center of Nano-Science and Technology of Shanghai University, Shangda Road 99, Shanghai 200436, PR China) ,  Jing, Chao (Department of Physics, Center of Nano-Science and Technology of Shanghai University, Shangda Road 99, Shanghai 200436, PR China)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractPolycrystalline nano-grain-boundary multi-doping ZnO-based nonlinear varistors with higher concentration additives have been fabricated by sol–gel and standard solid-state reaction method, of which the best sample has a very high threshold voltage of Eb=3300 V/mm. The effect of sinter...

주제어

참고문헌 (20)

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