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후속 열처리를 통한 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드 특성 연구
The Study of a n-ZnO/p-Si(111) Heterojunction Diode with Post Thermal Annealing

새물리 = New physics, v.56 no.3, 2008년, pp.309 - 313  

이종훈 (한양대학교 공과대학 응용과학부) ,  오현성 (한양대학교 공과대학 응용과학부) ,  이주영 (한양대학교 공과대학 응용과학부) ,  김준제 (한양대학교 공과대학 응용과학부) ,  김홍승 (한양대학교 공과대학 응용과학부) ,  장낙원 (한국해양대학교 공과대학 전기전자공학부)

초록
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p형 Si(111) 기판 위에 RF-스퍼터링 방법으로 ZnO 박막을 상온에서 증착 한 후 열산화로 장비를 이용하여 대기 분위기와 질소 분위기에서 각각 800 ℃의 온도로 열처리를 하였다. 열처리된 ZnO 박막은 포토리소그래피 공정을 통하여 n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드로 제작 하였다. 열처리 분위기에 따른 전기적 특성 및 다이오드의 특성을 알아 보기 위하여 홀 측정과 HP (4145B) 계측기를 이용하여 I-V 측정을 하였다. 또한 빛 방출 검출기를 이용하여 전압인가시에 빛 방출 여부를 조사 하였다. 열처리된 ZnO 박막은 열처리 분위기에 따라 다른 전기적 특성이 보였으며, n-ZnO/p-Si(111) 이종 접합 구조 다이오드는 약 13 ~ 15 V 전압 인가 시 약한 황색 빛을 방출 하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Zinc-oxide films were deposited on p-type Si (111) substrates by using a radio-frequency (RF) sputtering system at room temperature and were annealed at 800 ℃ in N2 and an air ambient for 1 hr. An n-ZnO/p-Si heterojunction diode was fabricated by using a photolithograph method. The effects of the an...

주제어

#ZnO   #열처리   #이종접합   #p-Si   #스퍼터   #ZnO   #Annealing   #Heterojunction   #p-Si   #Sputter  

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