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논문 상세정보

Thermoelectric Characteristics of the Sb2Te3 Compound Semiconductor Electrodeposited for Nanowire Applications

Abstract

Antimony-telluride films were fabricated by electrodeposition and their thermoelectric properties were evaluated for nanowire and thin-film applications. The antimony-telluride nanowires were electrodeposited into an Al2O3 template and their growth rates were characterized. The antimony-telluride films with compositions close to the Sb2Te3 stoichiometry and with Seebeck coefficients higher than 250 μV/K were obtained by electrodeposition. The maximum Seebeck coefficient and the maximum power factor of the electrodeposited Sb2Te3 were 390 μV/K and 30.2 × 10-4 W/K²-m, respectively. With varying the electrodeposition current density from 2.5 mA/㎠ to 7.5 mA/㎠, the average growth rate of the antimony-telluride nanowires increased from 6.6 μm/hr to 9.7 μm/hr. The antimony-telluride nanowire was polycrystalline and had a bamboo-type grain structure.

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