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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.53 no.1, 2008년, pp.276 - 281
The possibility of sputter-deposited Ti and processed Ti compounds as buffers for the growth of epitaxial ZnO films on (111) Si substrates by using plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) were studied. We used four types of substrates: 1) a bare (111) Si substrate, 2) an as-deposited Ti/Si (1...
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