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NTIS 바로가기Journal of ceramic processing research, v.15 no.2, 2014년, pp.61 - 65
Won, Youngjong , So, Byeongchan , Woo, Seohwi , Lee, Dongheon , Kim, Minho , Nam, Kibum , Im, Sujin , Shim, Kwang Bo , Nam, Okhyun
This study reports the effect of nitridation on the orientation of GaN layers grown on m-plane sapphire (Al2O3) substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Non-polar (10-10) GaN layers were grown on m-sapphire without nitridation. With increasing nitridation time, the crystallographic phases o...
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