[논문]Morphological instabilities in argon ion sputtered CoSi binary mixtures

Parida, B.K.; Ranjan, M.; Sarkar, S.

doi:10.1016/j.cap.2018.05.011

Morphological instabilities in argon ion sputtered CoSi binary mixtures

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.18 no.9, 2018년, pp.993 - 1000

Parida, B.K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Ropar, Nangal Road, Rupnagar, Punjab, 140001 India) , Ranjan, M. (FCIPT, Institute for Plasma Research, Gandhinagar, Gujarat, 382016 India) , Sarkar, S. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Ropar, Nangal Road, Rupnagar, Punjab, 140001 India)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract Nanopattern formation on Co x Si1−x ( 0 < x < 1 ) surfaces has been studied under a range of low energy Ar+ ion bombardment at oblique incidence and also at varying ion fluences. Our study shows a clear morphological change for the nanostructures depending upon the incident beam energies and binary mixture stoichiometries. From an initial smoothening regime, well-ordered nanoscale ripples form at sub-keV energies at ion fluences ∼ 10 18 ions cm−2. These ripples further transform into micrometer-sized ellipsoidal structures upon increasing the ion energy from 500 eV to 1200 eV. The wavelengths of the nanostructures increase with ion fluence obeying a power law behaviour f 0.123 , where f is the fluence. For higher values of Co content, the rippled morphology is gradually replaced by bug-like hierarchical structures. Highlights Nanopatterning has been studied on stoichiometric CoSi surfaces under low energy ion bombardment at oblique incidence. Nanopatterns transform into micropatterns as the energy is increased. The patterns also undergo a change depending on the stoichiometry. The wavelengths of the structures increase with fluence following a power law. Formation of silicides is enhanced at higher energies and fluences. Graphical abstract [DISPLAY OMISSION]

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표제어: PCR

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용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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