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논문 상세정보

KM-평준화: NAND 플래시 메모리를 위한 레벨 기반소거 횟수 평준화 기법

KM-leveling : A Level-Based Wear Leveling Scheme for NAND Flash Memory

초록

최근 휴대전화 디지털 카메라, 랜 스위치, 디지털 셋톱박스, 휴대용 MP3 플레이어, 노트북용 PC 카드, 내장 기기의 펌웨어 등 플래시 메모리의 활용이 증가하고 있다. 하지만 기존 저장 장치와 달리 플래시 메모리는 특정 블록에 쓰기 연산을 하기 전에 해당 블록은 미리 소거(erase-before-write)되어 있어야 하는 제약이 있으며, 각 블록은 소거될 수 있는 횟수가 제한적이다. 이런 단점들은 플래시 메모리가 대용량화됨에 따라 중요한 문제로 대두되고 있다. 이런 각 블록에 대한 소거 횟수의 제한을 해결하기 위하여 소거 횟수 평준화 기법(wear-leveling) 기법이 필수적이다. 본 논문에서는 블록의 소거 횟수의 한계를 극복하기 위한 새로운 소거 횟수 평준화 기법으로 전체 블록에 대한 소거 횟수 레벨을 두어 소거 횟수 평준화를 이루는 KM-평준화(KM-leveling)를 제안한다. KM-평준화는 소거 횟수 평준화를 위한 전체 블록의 계산 비용을 최소화하고 블록에 대한 소거 레벨을 두어 적은 공간을 사용하는 효율적인 기법이다. 본 논문은 M값 범위 이내에 각 블록의 소거 횟수들이 존재하도록 보장하는 KM-평준화를 제안한다.

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