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NTIS 바로가기대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집, 1998 June 01, 1998년, pp.398 - 400
윤관기 (동국대학교 전자공학과) , 이성대 (동국대학교 전자공학과) , 이일형 (동국대학교 전자공학과) , 최용석 (선문대학교 전자공학과) , 유순재 (선문대학교 전자공학과) , 이진구 (동국대학교 전자공학과)
In this paper, the etching studies for n-GaN were carried out using the wet chemical, the photo-enhanced-chemical, and the electro-chemical etching methods. The experimental results show that n-GaN is etched in diluted NaOH solution at room temperture and the etched thickness of NaOH and electron co...
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