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NTIS 바로가기대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집, 1988 July 01, 1988년, pp.328 - 331
최수한 (삼성반도체통신(주)) , 장택용 (삼성반도체통신(주)) , 김병렬 (삼성반도체통신(주))
Sealed Interface Local Oxidation (SILO) technology has been investigated using a nitride/oxide/nitride three-layered sandwich structure. P-type silicon substrate was either nitrided by rapid thermal processing, or silicon nitride was deposited by LPCVD method. A three-layered sandwich structure was ...
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