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스퍼터링 방식으로 형성시킨 코발트 실리사이드 박막의 형성 및 특성 원문보기

한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회, 1993 May 01, 1993년, pp.62 - 63  

조한수 (한양대학교 재료공학과) ,  백수현 (한양대학교 재료공학과) ,  황유상 (한양대학교 재료공학과) ,  최진석 (삼성반도체부문 기흥연구소) ,  정주혁 (삼성반도체부문 기흥연구소)

초록
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Salicide(Self-aligned) CoSi$_2$의 형성을 알아보기 위하여, 단결정 실리콘 기판내에 불순물 주입에 따른 실리사이드의 형성영향을 알아보는, As,BF$_2$를 주입 한 시편과, 코발트와 SiO$_2$를 증착한 시편을 준비하였다. RF sputtering 방식으로 각각의 기판위에 코발트를 증착 한 후 Rapid Thermal Annealing(RTA) 온도 400-100$0^{\circ}C$영역에서 20초 동안 열처리 하였다. RTA 온도 80$0^{\circ}C$에서 비저항이 약 18$\mu$$\Omega$-cm정도의 CoSi$_2$를 형성 시켰으며 SEM 과 $\alpha$-step 으로 확인된 Si 기판과 코발트 실리사이드의 계면 roughness 및 surface roughness는 우수하였고, CoSi$_2$의 두께 증가에 따른 실리콘 소모량의 증가에 따라 기판내에 있던 As,BF$_2$ 이온들이 실리사이드내로 재분포 되는 현상을 보였다.CoSi$_2$/Si 계면간의 열적안정성은 $N_2$분위기로 30분간 Furnace Annealing 온도 100$0^{\circ}C$까지 CoSi$_2$의 응집화 현상이 일어나지 않았다.

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