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문제 정의
- 본 연구에서는 nMOSFET의 임팩트 이온화 현상을 고찰하기 위하여 Micro-Tec 시뮬레이터를 이용하여 임팩트이온화 모델이 적용되지 않은 경우와 임팩트이온화 모델이 적용된 경우 그리고 임팩트 이온화의 파라미터값들과 임팩트이온화 계수 값들을 조정하여 임팩트이 온화현상을 분석하였다. 그 결과 전자전송특성을 해석하기 위해서는 임팩트이온화모델이 필수적이며 보다 정확한 임팩트 이온화 모델, 즉 적당한 임팩트이온화의 파라미터값과 임팩트이온화 계수값들이 소자의 시뮬레이션에 사용되어져야함을 알 수 있었다.
- 본 연구에서는 nMOS를 이용하여 임팩트 이온화 현상을 고찰하여 이 임팩트이온화가 소자에 어떠한 영향을 미치는지를 TCAD와 Micro-Tec시뮬레이터를 이용하여 분석함으로써 보다 정확한 임팩트 이온화 모델을 제시하고자 한다.
- 본 연구에서는 임팩트이온화 현상을 고찰하기 위하여 Vgs를 0V로 고정시키고 Vds를 1~ 14V까지의 변화를 고찰하였다. 먼저 임팩트이온화 모델을적용시키지 않은 nMOS를 시뮬레이션하여 임팩트 이온화 현상을 고찰하였고, 다음으로 임팩트이 온화 모델을 적용하여 시뮬레이션하여 결과를 유도하였다.
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