본 연구는 부식을 방지하기 위해서는 metal line식각 후 염소 잔유물 과 plasma charge up을 식각 조건, PR strip조건 및 후속 세정 조건을 최적화함으로써 제거해야 한다고 제안 하였다. Metal line에 다량 분포하는 charge up은 후속 세정의 적정 PH와 만났을 때, 하부 tungsten plug의 부식을 유발 하게 된다. Metal line식각 및 PR strip후 세정에 있어 약액의 종류는 부식에 결정적인 영향을 미친다. Galvanic corrosion을 최소화하기 위한 적정 PH, metal attack을 최소화 할 수 있는 chemistry선택, 높은 식각 부산물 제거 효율의 약액, 최적의 $H_2O$처리 조건 등이 metal부식방지에 있어 결정적인 요소임을 확인하였다.
본 연구는 부식을 방지하기 위해서는 metal line식각 후 염소 잔유물 과 plasma charge up을 식각 조건, PR strip조건 및 후속 세정 조건을 최적화함으로써 제거해야 한다고 제안 하였다. Metal line에 다량 분포하는 charge up은 후속 세정의 적정 PH와 만났을 때, 하부 tungsten plug의 부식을 유발 하게 된다. Metal line식각 및 PR strip후 세정에 있어 약액의 종류는 부식에 결정적인 영향을 미친다. Galvanic corrosion을 최소화하기 위한 적정 PH, metal attack을 최소화 할 수 있는 chemistry선택, 높은 식각 부산물 제거 효율의 약액, 최적의 $H_2O$처리 조건 등이 metal부식방지에 있어 결정적인 요소임을 확인하였다.
This study proposes that chlorine residue after metal etch as the source of metal corrosion, and charges should be removed by optimizing etch, PR strip and cleaning condition. Charges distributed along the metal line acts as a source of tungsten (W) plug corrosion when associated with following clea...
This study proposes that chlorine residue after metal etch as the source of metal corrosion, and charges should be removed by optimizing etch, PR strip and cleaning condition. Charges distributed along the metal line acts as a source of tungsten (W) plug corrosion when associated with following cleaning solution. In cleaning process after metal etch and PR strip, chemical selection is significantly important in terms of metal corrosion. Optimal corrosion preventive PH, no metal attack (choice of optimal inhibitants), high by product removal efficiency and optimal de ionized water treatment condition is critical to the metal corrosion prevention.
This study proposes that chlorine residue after metal etch as the source of metal corrosion, and charges should be removed by optimizing etch, PR strip and cleaning condition. Charges distributed along the metal line acts as a source of tungsten (W) plug corrosion when associated with following cleaning solution. In cleaning process after metal etch and PR strip, chemical selection is significantly important in terms of metal corrosion. Optimal corrosion preventive PH, no metal attack (choice of optimal inhibitants), high by product removal efficiency and optimal de ionized water treatment condition is critical to the metal corrosion prevention.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
문제 정의
따라서 본 논문은 gal.,anic conrosicm이 PR strip과정에서 metal line의 극심한 charge up과 후속 세정의 부적절한 산도 (PH)에 의해 직접적으로 영향을 받음에 착안, charge up을 최소화할 수 있는 PR strip 조건도출은 물론, 부식에 영향을 주는 세정인자 규명 및 해결책을 도출하여 이를 제어하기 위한 평가결과와 해법을 제시하고자 한다.
제안 방법
및 Al-Cu alloy gal.,anic corrosion을 중심으로 하였으며, 이를 위해 실제 식각 부산물을 제거하는 chemical 뿐만 아니己+ DIW 세정 및 후속 wafer dry조건에 따른 영향을 평가하였고 SEM과 KLA2138를 이용하여 그 효과를 검증 하였다.
마지막으로 1201의 bake를 처리하여, 최소 선폭을 0.18um 테크놀러지의 0.2마이크로미터로 구현 하였다. Photolithography공정이 완료되면, 실질적인 metal회로를 구성하는 식각 공정이 이루어지는데본 실험에서 사용된 식각 장치는 ECR type을 이용하였고 식각 조건은 BC13 25ccmz C12 75 ccmz N2 20ccm, 1.
본 논문에서는 Metal 식각 후 PR strip 및 후속 세정 공정평가를 통해 최적의 공정조건을 도출하였다. Metal식각 후 PR strip공정에서 H2O vapor 처리 시간을 늘리거나 그 양을 증가시키면 metal 상에 존재하는 C1 농도는 비례적으로 감소한다.
실험 방법으로는 식각 후 etch by product에 잔존하는 Cl에 의한 A1 부식 평가를 위해 PR strip공정에서 각 조건 parameter 변경에 따른 C1 농도를 PR strip후 비교하였으며, 이를 통해 C1 농도를 최소화하기 위한 각 parameter■별 최적 조건을 도출 하고자 하였다.
대상 데이터
2마이크로미터로 구현 하였다. Photolithography공정이 완료되면, 실질적인 metal회로를 구성하는 식각 공정이 이루어지는데본 실험에서 사용된 식각 장치는 ECR type을 이용하였고 식각 조건은 BC13 25ccmz C12 75 ccmz N2 20ccm, 1.9 Pa(압력), 800 W (magnetron power), 18-17-10 amphere (magnetic coil current 조건) 이다. 그림 1은 Metal line 식각 직후 SEM 으로 관찰된 metal의 profile을 나타내었다.
본 실험에서는 비저항이 9~12 Qcm이고 결정면이 (100)인 P형 실리콘 wafer를 사용하였고, 부식을 평가하기 위해 다음과 같이 시료를 제작하였다.
이론/모형
식각 후 P/R strip 장치는 down stream 방식의 기asma source를 이용하였으며 각 step별 조건과 목적은 다음과 같다.
성능/효과
마지막으로 세정 후 wafer를 건조하는 step으로 처리시간이 길어질수록, bake온도는 상승할수록 표 1과 같이 Cl attack성의 부식발생이 감소한다. 이는 wafei■상에 습도의 제거효율을 극대화함으로써 잔류하는 '。과의 반응을 억제, C1 attack성 부식을 제어하는 방안임을 확인할 수 있었다[7].
실질적인 식각 부산물을 제거하는 chemical 처리 공정에서 그 처리 시간이 증가할수록 C1 attack형 부식이 급증하는 경향을 보였다. 그림 5 는 산jemical처리 시간에 따른 부식경향을 KLA에서 측정한 wafer map변화를 보여준다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.