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EUV Lithography Blank Mask Repair using a FIB 원문보기

한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집, 2004 May 01, 2004년, pp.129 - 131  

채교석 (한양대학교, 나노 SOI 공정 연구소) ,  김석구 (한양대학교, 나노 SOI 공정 연구소) ,  김신득 (한양대학교, 나노 SOI 공정 연구소) ,  안정훈 (한양대학교, 나노 SOI 공정 연구소) ,  박재근 (한양대학교, 나노 SOI 공정 연구소)

초록
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극자외선 리소그래피(EUV lithography) 기술은 50nm 이하의 선폭을 가지는 차세대 소자 제작에 있어서 선도적인 기술 중 하나이다. EUVL 에서 필수적인 요소중의 하나가 mirror 로 사용되는 blank mask 이다. Blank mask 에 있어서 가장 중요한 요소는 반사도이다. 이 blank mask 는 Si substrate 위에 반사를 위한 Mo/Si pair 가 40pair 이상 적층되어있다. Blank mask 는 매우 청결해야한다. 만약 결함이 있다면 blank mask 에는 치명적이다 결함은 blank mask 에 있어서 반사도를 떨어뜨리는 주 요소이기 때문이다. 그 결함에는 amplitude defect 과 phase defect 이 있다. FIB 에서는 amplitude defect 을 수정하는 것이 가능하다. 우리는 FIB 를 이용하여 mage mode, spot mode, bar rotation mode 를 사용하여 amplitude defect을 수정하였다. 그리고, 그 결과 효과적으로 amplitude defect을 수정하였다.

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