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MOSFET 검출기의 방사선 측정 기법

A Methodology of Radiation Measurement of MOSFET Dosimeter

대한전자공학회 2009년도 정보 및 제어 심포지움 논문집, 2009 May 07, 2009년, pp.159 - 162  

노영찬 (우송대학교 철도전기.정보통신학부) ,  이상용 (우송대학교 철도전기.정보통신학부) ,  강필현 (한국원자력연구원 정읍방사선과학연구소)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The necessity of radiation dosimeter with precise measurement of radiation dose is increased and required in the field of spacecraft, radiotheraphy hospital, atomic plant facility, etc. where radiation exists. Until now, a low power commercial metal-oxide semiconductor(MOS) transistor has been teste...

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문제 정의

  • 본 논문에서 2개의 게이트를 가지는 MOSFET 방사선 선량계는 실리콘 기판에 형성되는 제 1■소스 및 제 1드레인과, 상기 제 1소스와 제 1드레인 사이에 형성된 채널 위에 형성되는제 1게이트 산화막과, 제 2소스 및 제 2드레인 사이에 형성된 제 2게이트 산화막의 두께를 다르게 형성하여, 제 1 MOSFET 및 제 2 MOSFET 이 하나의 칩으로 형성되는 방사선 선량계 모듈을 연구하는데 있다.
  • 본 논문에서는 게이트 산화막의 두께가 다른 2개의 MOSFET을 1 개의 칩에 설계하고, 방사선측정 전후의 문턱전압의 차이를 측정함으로써 방사선에 의한 변화를 보다 정확히 측정할 수 있고, 온도의 영향을 받지 않는 방사선 선량계를 설계[5] 하는데 필요한 측정기법을 연구하는데 있다.
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