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STI(Shallow Trench Isolation) 공정에서 Torn Oxide Defect 해결에 관한 연구
A Study for the Improvement of Torn Oxide Defect in STI(Shallow Trench Isolation)Process 원문보기

대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C, 1998 Nov. 28, 1998년, pp.723 - 725  

김상용 (중앙대학교 전기공학과) ,  서용진 (대불대학교 전기전자공학부) ,  김태형 (여주대학 전기과) ,  이우선 (조선대학교 전기공학과) ,  정헌상 (조선대학교 전기공학과) ,  김창일 (중앙대학교 전기공학과) ,  장의구 (중앙대학교 전기공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

STI CMP process are substituting gradually for LOCOS(Local Oxidation of Silicon) process to be available below sub-0.5um technology and to get planarized. The other hand, STI CMP process(especially STI CMP with RIE etch back process) has some kinds of defect like Nitride residue, Torn Oxide defect, ...

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